谷景华
- 作品数：56 被引量：89H指数：6
- 供职机构：北京航空航天大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金首都卫生发展科研专项更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 一种以多孔氧化锆为载体附着生长高效降油菌剂处理深海溢油的方法
- 本发明提供了一种以多孔氧化锆为载体附着生长高效降油菌剂处理深海溢油的方法，采用添加造孔剂法制备多孔氧化锆载体，其特征在于：(1)圆柱状多孔氧化锆载体，直径为1.65-1.75cm，高为1.35-1.45cm，孔隙率为55...
- 杨玉楠刘春雷张跃谷景华
- 文献传递
- 采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置
- 本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置，经该方法沉积出的一维晶须阵列材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征；与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是，该技术采用沿...
- 张跃袁洪涛谷景华
- 文献传递
- 用大气开放式MOCVD方法在玻璃基片上制备TiO2薄膜的研究
- 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,在不同的实验条件下在玻璃基片上制备TiO2薄膜。当气化室温度为140℃,基片温度为350℃时,玻璃基片上生长的薄膜XRD谱...
- 李丽娜谷景华张跃路浩天
- 关键词：MOCVDTIO2取向性
- 以多孔氧化铝为载体的高效嗜压降油菌剂处理深海溢油的方法
- 本发明提供了一种以多孔氧化铝为载体附着生长高效降油菌剂处理深海溢油的方法，采用凝胶注模法制备多孔氧化铝载体，其特征在于：(1)圆柱状多孔氧化铝载体，直径为1.60-1.70cm，高为1.30-1.40cm，孔隙率为52-...
- 杨玉楠王乾张跃谷景华
- 二氧化硅基多孔块材的制备及其热稳定性被引量：2
- 2011年
- 以非离子型表面活性剂P123和三甲基苯的微乳液为模板剂合成介孔SiO2粉体.以此粉体为原料,经干压成型、烧结制备多孔SiO2块材.分别用AlOOH溶胶和TiO2溶胶包覆多孔SiO2粉体,制成多孔SiO2/Al2O3块材和SiO2/TiO2块材.采用XRD、SEM、TEM、N2吸附法和阿基米德排水法对所制粉体和块材进行了表征,并研究了块材的热稳定性.结果表明,600～700℃烧结的多孔SiO2基块材的孔隙率为74%～76%.与多孔SiO2块材相比,在800～1000℃范围内,SiO2/Al2O3块材的热稳定性显著提高,SiO2/TiO2块材的热稳定性在800～900℃范围内有一定改善.
- 张丽杰谷景华姚红英张跃
- 关键词：介孔二氧化硅热稳定性三氧化二铝
- 隔热材料用二氧化硅基多孔块材及其包覆-干压成型的制备方法
- 本发明公开了一种隔热材料用二氧化硅基多孔块材及其包覆-干压成型的制备方法，该制备方法以正硅酸乙酯为前驱体，以非离子型表面活性剂P123为模板剂，以三甲基苯为溶胀剂，通过正硅酸乙酯的水解缩聚制备多孔二氧化硅粉体，对该二氧化...
- 谷景华张丽杰张跃
- 文献传递
- 大气开放式MOCVD法制备碳掺杂氧化钛可见光光催化剂被引量：2
- 2007年
- 设计研制了大气开放式金属有机化合物气相沉积(AP-MOCVD)装置,该装置操作简便,制备条件易控制,可制备不同碳掺杂氧化钛和纯氧化钛薄膜。以XRD、AES、XPS和UV-vis对碳掺杂氧化钛薄膜表征表明,以大气开放式MOCVD法在玻璃基片上制备的碳掺杂氧化钛薄膜,碳均匀掺杂到氧化钛晶格中,氧化钛晶格中碳占据了氧的位置并形成Ti—C键。其紫外可见吸收光谱(UV-vis)吸收曲线相对于纯氧化钛薄膜明显红移,并提高可见光的利用率。以AP-MOCVD法制备的碳掺杂氧化钛薄膜具有显著的可见光催化活性,在可见光下能使空气中的甲醛明显的光催化降解。
- 李丽娜谷景华张跃
- 关键词：光催化
- 溶剂热法制备铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜被引量：10
- 2010年
- 采用溶剂热法在玻璃基片上沉积铝掺杂的氧化锌透明导电膜(AZO)。研究了前驱溶液中Al3+与Zn2+的物质的量的比nAl3+/nZn2+、溶剂热反应温度和反应时间对薄膜物相、形貌、可见光透过率和电阻率的影响。结果表明,溶剂热法所制备的AZO薄膜具有六方纤锌矿结构,Al3+不仅改善薄膜的导电性而且起矿化剂的作用促进薄膜生长,溶剂热反应时间的增加没有使薄膜显著增厚。采用溶剂热法可制备出可见光平均透过率大于80%、方块电阻小于500Ω的AZO薄膜。
- 高珊谷景华张跃
- 关键词：透明导电膜AZO溶剂热法
- 锐钛矿(TiO_2)半导体的氧空位浓度对导电性能影响的第一性原理计算被引量：9
- 2008年
- 基于低温重氧空位锐钛矿半导体的态密度计算,在同等条件下研究取不同大小模型的锐钛矿做适量浓度的氧空位存在,分别对进入导带的相对平均电子数和氧空位类杂质的散射迁移率进行计算,之后对电导率进行类比,发现锐钛矿半导体的导电性能对适量浓度低的氧空位有利可行得到了证明.同时,低温重氧空位的条件下,锐钛矿半导体的电导率不仅与氧空位浓度有关,而且和进入导带的平均电子数有关,和氧空位散射的电子迁移率有关的正确结论.
- 侯清玉张跃陈粤尚家香谷景华
- 关键词：电导率第一性原理计算
- ZnO修饰的不锈钢网支撑体上ZIF-8膜的制备
- 2018年
- ZIF-8因具有0.34 nm的孔道直径而被认为是最具应用前景的气体分离膜材料之一。不锈钢网(SSN)作为分离膜的支撑体具有价格低廉、易于裁剪、厚度薄等优点。采用水热法在SSN表面生长ZnO缓冲层,以ZnO修饰的SSN(ZnO/SSN)为支撑体制备ZIF-8膜。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对合成的ZIF-8膜进行表征,并进行了气体渗透性能测试,结果表明,在ZnO颗粒修饰后的SSN支撑体上无需活化可制备出单一物相、无缺陷的ZIF-8膜;在室温(298 K)下,ZIF-8膜的H2/CO2、H2/N2、H2/CH4的理想分离系数分别为7.3、9.2、12.4;在150℃,ZIF-8膜的渗透性能稳定。
- 李甲谷景华殷文杰李泽耀
- 关键词：气体分离
