臧扬
- 作品数：3 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国人民解放军73906部队更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学更多>>
- 微处理器静电电磁脉冲辐照效应试验研究被引量：3
- 2006年
- 为研究静电电磁脉冲(ESD EMP)对嵌入式微处理器(MPU)的影响,根据IEC61000-4-2标准,利用静电电磁脉冲电场测试系统对FPGA、CPLD、80C196单片机3种电路进行ESD EMP辐照效应试验,同时实测了耦合板周围电场强度,根据试验结果分析了故障原因。试验发现ESD EMP对MPU系统工作稳定性影响较大,使FPGA、CPLD、80C196单片机集成电路发生死机或重启故障的静电放电电压阈值分别为13、7和10kV;3种微处理器对ESD EMP的敏感度序列为:CPLD>80C196单片机>FPGA。ESD EMP对MPU电路危害表现在放电的近场区,容易造成电子器件的击穿,而在远场区,主要是对电子设备造成高频干扰。
- 臧扬路潇
- 关键词：静电放电电磁脉冲辐照效应微处理器敏感度
- FPGA静电电磁脉冲辐照效应试验研究被引量：4
- 2005年
- 根据国际电工委员会IEC61000-4-2标准,利用ESS-200AX型ESD模拟器,选用人体-金属模型,测试静电电磁脉冲(ESD EMP)对FPGA的影响,并针对试验结果对故障原因进行分析.试验结果表明:FPGA集成电路抗静电电磁脉冲能力较强,当在FPGA集成电路周围的静电放电电压达到13 kV时,静电电磁脉冲将破坏SRAM的查找表中的数据,致使FPGA功能性损坏,但重新加电可恢复正常.
- 臧扬刘文冰魏明路潇
- 关键词：静电电磁脉冲FPGA辐照效应
- MCS51单片机系统电磁干扰测试研究被引量：5
- 2008年
- 为了确定MCS51单片机系统工作模式下的电磁场的时空分布,利用电磁兼容扫描仪对系统进行扫描分析,找出系统三维电磁场辐射图形,从而精确定位辐射干扰源的位置并分析频谱成分。试验结果表明:系统正常工作时MCS51单片机芯片、晶振以及程序存储器是产生干扰频率的主要来源,电磁辐射强度最高可达36 dBμV。
- 臧扬
- 关键词：电磁干扰MCS51单片机
