- Ga掺杂^(70)Ge纳米晶的制备与研究被引量：1
- 2009年
- 通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂^(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究。结果表明:随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断地下降,这可能是非辐射的俄歇复合过程与纳米晶数量的减少共同作用的结果。此外,从PL上面看到580nm附近的荧光峰蓝移则可能是由纳米晶尺寸的减小和非辐射的俄歇复合过程引起的。
- 游草风卢铁城胡又文陈青云敦少博胡强范立伟张松宝唐彬代君龙
- 关键词：中子嬗变掺杂光致发光
- 天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究
- 2011年
- 采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品.通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小.当退火温度达到700℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱.采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质.薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的缺陷发光.
- 范立伟卢铁城敦少博胡又文陈青云胡强游草风张松宝唐彬代君龙
- 关键词：中子嬗变掺杂拉曼光谱X射线荧光光谱
