胡又文
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省青年科技基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- TiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质及其栅介质制备方法
- 本发明涉及一种MOS结构的栅介质TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，属于半导体器件制作领域。该方法是利用TiO<Sub>2</Sub>代替传统SiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质，采用电子束蒸...
- 刘成士赵利利伍登学廖志君范强王自磊胡又文
- 文献传递
- Ga掺杂^(70)Ge纳米晶的制备与研究被引量：1
- 2009年
- 通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂^(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究。结果表明:随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断地下降,这可能是非辐射的俄歇复合过程与纳米晶数量的减少共同作用的结果。此外,从PL上面看到580nm附近的荧光峰蓝移则可能是由纳米晶尺寸的减小和非辐射的俄歇复合过程引起的。
- 游草风卢铁城胡又文陈青云敦少博胡强范立伟张松宝唐彬代君龙
- 关键词：中子嬗变掺杂光致发光
- 中子嬗变掺杂前后Ge纳米晶的结构和性质
- 2010年
- 采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂(NTD)后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐照致空位缺陷的影响,而NTD产生的As掺杂能补偿这些空位缺陷并消除禁带中产生的杂质能级,从而改善半导体掺杂性能.计算还发现,由于较高的电负性,纳米晶中O对Ge原子较强的吸附作用阻止了空位的形成,导致与缺陷相关的非辐射发光中心的浓度减小,发光效率提高,因此中子辐照掺杂前的高温退火处理是非常有必要的.计算较好地解释了已报道的实验结果.
- 陈青云孟川民卢铁城徐明胡又文
- 关键词：中子嬗变掺杂第一性原理空位缺陷
- 嵌入SiO_2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究被引量：1
- 2005年
- 作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成.分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明:300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光.
- 敦少博卢铁城胡强于晓林胡又文曾颖秋张松宝唐彬代君龙
- 关键词：离子注入光致发光X射线衍射
- TiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质及其栅介质制备方法
- 本发明涉及一种MOS结构的栅介质TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，属于半导体器件制作领域。该方法是利用TiO<Sub>2</Sub>代替传统SiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质，采用电子束蒸...
- 刘成士赵利利伍登学廖志君范强王自磊胡又文
- 文献传递
- 天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究
- 2011年
- 采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品.通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小.当退火温度达到700℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱.采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质.薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的缺陷发光.
- 范立伟卢铁城敦少博胡又文陈青云胡强游草风张松宝唐彬代君龙
- 关键词：中子嬗变掺杂拉曼光谱X射线荧光光谱
