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含随机参数的偏微分方程的自适应高斯过程求解器被引量：1: 2019年; 对于数值求解含随机参数的偏微分方程的问题,本文基于以高斯过程为核心的求解器提出了一种自适应挑选训练数据的求解模型.该模型从极少的初始训练数据集出发训练高斯过程求解器,将参数池中预测方差指示变量最大的参数及其对应的偏微分方程的高精度解加入训练数据集中,然后重复上述过程,直到所训练出来的高斯过程求解器在测试数据集上达到所要求的精度.此外,本文还将该自适应模型在带有二维随机参数的扩散方程上进行测试,结果表明所提出的自适应选点策略有效,模型的预测准确度随着训练数据的增加而迅速提高,最终只需要40个训练数据即可在测试数据集上达到要求的精度.; 陈晨廖奇峰王皓; 关键词：高斯过程自适应

抗单粒子翻转的双端口SRAM定时刷新机制研究被引量：2: 2015年; 在空间辐射环境下,存储单元对单粒子翻转的敏感性日益增强。通过比较SRAM的单粒子翻转效应相关加固技术,在传统EDAC技术的基础上,增加少量硬件模块,有效利用双端口SRAM的端口资源,提出了一种新的周期可控定时刷新机制,实现了对存储单元数据的周期性纠错检错。对加固SRAM单元进行分析和仿真,结果表明,在保证存储单元数据被正常存取的前提下,定时刷新机制的引入很大程度地降低了单粒子翻转引起的错误累积效应,有效降低了SRAM出现软错误的概率。; 陈晨陈强林敏杨根庆; 关键词：双端口SRAM 单粒子翻转

六方氮化硼表面石墨烯纳米带生长与物性研究被引量：4: 2019年; 石墨烯作为二维原子晶体家族的典型代表,由于其优异的物理与化学特性而受到学术界与工业界的广泛关注.石墨烯纳米带是宽度仅有几纳米到几十纳米的石墨烯.纳米带不但继承了石墨烯大部分优异的性能,而且具备可调控带隙、自旋极化边界态等石墨烯所不具有的新奇物理特性.这些特性使石墨烯纳米带成为未来探索石墨烯电子学应用所需要重点研究的对象.利用与石墨烯晶格结构相似的六方氮化硼(h-BN)作为绝缘介质衬底进行石墨烯及石墨烯纳米带制备,不仅可以有效地保持它们优异的本征性质,还可以开发出与主流半导体工艺相兼容的电子器件工艺与应用.本文回顾了近几年 h-BN 表面石墨烯及石墨烯纳米带研究的发展历程,详细阐述了最近的材料制备和物性研究的进展,并对高质量 h-BN 衬底制备的最新进展进行介绍,以期为未来实现高质量 h-BN 表面石墨烯纳米带的规模化制备并最终实现电子器件应用奠定基础.最后本文对h-BN 表面石墨烯及石墨烯纳米带的未来研究方向进行了展望.; 陈令修王慧山姜程鑫陈晨王浩敏; 关键词：石墨烯六方氮化硼石墨烯纳米带

基于同步电荷提取的自供能压电能量接口电路分析被引量：2: 2018年; 压电材料作为一种重要的机电换能器,它可以将物体机械振动产生的机械能转换为电能,为微型无线传感器装置的供电问题提供了解决方案。压电能量收集系统中不同接口电路的动态特征和收集能力是不一样的。同步电荷提取接口电路因为其独特的特性成为被学者广泛研究的接口电路之一,即在理想条件下它的输出功率独立于负载。此外,通过引入自供电的功能,将会使得同步电荷提取电路更适用于独立的微型传感器节点。本文提出了一种改进型的自供能同步电荷提取电路,主要由峰值检测器,比较器和数字开关控制单元组成。同时本文提供了一种阻抗分析的方法对实际环境下的自供能同步电荷提取接口电路的动态特性进行了衡量。分析和实验都表明在实际工作条件下,自供能同步电荷提取电路的输出功率并不是完全的独立于负载或者输出直流电压。最大收集功率点依然如其他接口电路一样存在于自供能同步电荷提取电路中,实际的实验结果与理论的分析是吻合的。; 陈晨; 关键词：阻抗分析

六方氮化硼层间气泡制备与压强研究: 2021年; 六方氮化硼(h-BN)具有六角网状晶格结构和高化学机械稳定性,可以用来封装气体并长期保持稳定,适合用作新型信息器件及微纳机电器件的衬底材料,具有巨大的应用前景.近期,科研人员发现氢原子可以无损穿透多层h-BN,在层间形成气泡,可用作微纳机电器件.本文研究了氢等离子体处理时间对h-BN气泡尺寸的影响.发现随着处理时间的延长,气泡尺寸整体变大且分布密集程度会降低.原子力显微镜的测量发现所制备的h-BN气泡具有相似的形貌特征,该特征与h-BN的杨氏模量和层间范德瓦耳斯作用相关.此外,发现微米尺寸气泡的内部压强约为1—2 MPa,纳米尺寸气泡的内部压强可达到GPa量级.; 姜程鑫陈令修王慧山王秀君陈晨陈晨谢晓明; 关键词：六方氮化硼等离子体处理

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陈晨