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黄建方

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇陷阱电荷
  • 1篇NMOS器件
  • 1篇GIDL

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇曹艳荣
  • 1篇马晓华
  • 1篇李康
  • 1篇郝跃
  • 1篇王文博
  • 1篇陈海峰
  • 1篇黄建方

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性被引量：1
2005年
研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightlydoped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDDnMOSFET的GIDL(gateinduced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论.
陈海峰马晓华郝跃曹艳荣黄建方王文博李康
关键词：陷阱电荷GIDL
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