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黄建方
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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陈海峰
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2005
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90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性
被引量:1
2005年
研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightlydoped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDDnMOSFET的GIDL(gateinduced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论.
陈海峰
马晓华
郝跃
曹艳荣
黄建方
王文博
李康
关键词:
陷阱电荷
GIDL
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