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黄致信
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华中师范大学物理科学与技术学院
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相关领域:
理学
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合作作者
崔增丽
华中师范大学物理科学与技术学院
郭继花
华中师范大学物理科学与技术学院
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Cu3N薄膜的制备与性能研究
2009年
采用反应射频磁控溅射方法,在玻璃基底上成功制备出了氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了溅射参数对Cu3N薄膜的结构和性能的影响,结果显示,随着溅射功率和氮气分压的增加,氮化铜薄膜的择优取向由(111)方向向(100)方向改变。随着基底温度从70℃增加到200℃,薄膜从Cu3N相变为cu相。紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明,当溅射功率从80W逐渐增加到120W时,薄膜的光学能隙从1.85eV减小到1.41eV,电阻率从1.45× 10^2Ω·cm增加到2.99× 10^3Ω·cm。
崔增丽
黄致信
郭继花
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溅射参数
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