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卜东生

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中央研究院更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇直流反应磁控...
  • 1篇晶体管
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇沟道
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇非晶
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇中央研究院

作者

  • 1篇周俊
  • 1篇张群
  • 1篇李桂锋
  • 1篇卜东生

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
直流反应磁控溅射制备非晶掺锌氧化铟沟道层薄膜
2010年
采用直流反应磁控溅射In/Zn合金靶材在室温下制备了非晶掺锌氧化铟(a-IZO)薄膜,作为沟道层应用于氧化物薄膜晶体管。通过在沉积过程中适当调节氧气压强,制备的a-IZO薄膜的电阻率可具有10-3～106Ω.cm即109倍的变化范围。在氧气压强Po2=5×10-2Pa制备的薄膜,其可见光范围平均透射率大于85%。试制了基于a-IZO薄膜沟道层的顶栅结构的氧化物薄膜晶体管。测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强模式,场效应迁移率为4.25 cm2V-1s-1,电流开关比约为103。实验结果预示a-IZO薄膜在TFT-LCD和AMOLED等平板显示领域具有应用前景。
周俊李桂锋卜东生张群
关键词：直流反应磁控溅射薄膜晶体管
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