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黄文奇

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电器件
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇SI基
  • 1篇IV

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇成步文
  • 1篇刘智
  • 1篇薛春来
  • 1篇何超
  • 1篇张旭
  • 1篇黄文奇

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si基IV族光电器件的研究进展(一)—激光器被引量：3
2014年
Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,是解决Si基集成电路发展瓶颈的一个重要途径。在Si基光互连的关键器件中,除了Si基高效光源以外,其他的器件都已经实现。同为IV族元素的Ge具有独特的准直接带隙的能带结构,有望通过能带工程等手段实现高效发光。近年来,Si基IV族发光材料和发光器件有了许多重要进展。回顾了Si基IV族发光材料和发光器件的最新成果,如Si衬底上张应变的Ge、Ge发光二极管及激光器、GeSn发光器件,并对结果进行了讨论。最后展望了Si基IV族激光器的发展趋势。
刘智张旭何超黄文奇薛春来成步文
关键词：发光二极管激光器发光
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