何超
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si基IV族光电器件的研究进展(一)—激光器被引量：3
- 2014年
- Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,是解决Si基集成电路发展瓶颈的一个重要途径。在Si基光互连的关键器件中,除了Si基高效光源以外,其他的器件都已经实现。同为IV族元素的Ge具有独特的准直接带隙的能带结构,有望通过能带工程等手段实现高效发光。近年来,Si基IV族发光材料和发光器件有了许多重要进展。回顾了Si基IV族发光材料和发光器件的最新成果,如Si衬底上张应变的Ge、Ge发光二极管及激光器、GeSn发光器件,并对结果进行了讨论。最后展望了Si基IV族激光器的发展趋势。
- 刘智张旭何超黄文奇薛春来成步文
- 关键词：发光二极管激光器发光
- 具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法
- 一种具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器，包括：一SOI衬底；一二氧化硅层，其制作在SOI层的n型顶层硅上，该二氧化硅层刻蚀有二氧化硅光栅，该二氧化硅光栅为一圆形或矩形结构，在二氧化硅光栅的空隙处制作有本征锗层，在...
- 刘智成步文何超李传波薛春来王启明
- 文献传递
- 硅基宽光谱探测器及制备方法
- 一种硅基宽光谱探测器及制备方法，该硅基宽光谱探测器，包括：一SOI衬底，包括一底部Si材料层和制作在其上的二氧化硅填埋层以及制作在二氧化硅填埋层上的顶层硅，该顶层硅位于二氧化硅填埋层的中间，该二氧化硅填埋层的两侧形成台面...
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- 文献传递
- 硅基宽光谱探测器及制备方法
- 一种硅基宽光谱探测器及制备方法，该硅基宽光谱探测器，包括：一SOI衬底，包括一底部Si材料层和制作在其上的二氧化硅填埋层以及制作在二氧化硅填埋层上的顶层硅，该顶层硅位于二氧化硅填埋层的中间，该二氧化硅填埋层的两侧形成台面...
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- 面向光互连的Ⅳ族异质发光材料和器件
- 近十年来,为了满足光互连的高性能和低成本的需求,Si基光电子学获得了前所未有的发展.尽管大部分的Si基光电子器件都已经实现,但是由于Si是间接带隙的材料,Si基光源依然是一个悬而未决的问题.从短期考虑,使用外接的光源或是...
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- Si基Ⅳ族异质结构发光器件的研究进展被引量：2
- 2015年
- Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关键器件中,除了Si基光源尚未得到解决,其他器件都已经实现,因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义.同为Ⅳ族元素的Ge和GeSn因其与Si的可集成性及其独特的能带结构有望成为Si基光电集成回路中的光源.虽然Ge是间接带隙材料,但通过引入张应变、n型重掺杂,或者引入Sn形成GeSn合金等能带工程手段来提高发光效率.近年来,Si基Ⅳ族发光材料和发光器件有许多重要进展,本文就Si基Ge,GeSn材料发光研究中的几个关键技术节点——应变工程、掺杂技术、理论模型和器件研究——回顾了近几年国际和国内的研究进展,并展望了Si基Ⅳ族激光器的发展趋势.
- 何超张旭刘智成步文
- 关键词：SI基发光器件
