您的位置： 专家智库 > >

刘宁

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：西安理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇真空
  • 1篇真空退火
  • 1篇退火
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇氢化非晶硅薄...
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇硼
  • 1篇A-SI:H
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇西安理工大学

作者

  • 1篇鲁媛媛
  • 1篇蒋百灵
  • 1篇时惠英
  • 1篇董丹
  • 1篇刘宁

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
硼掺杂量对P型a-Si:H膜微结构和光/电学性能的影响被引量：2
2013年
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同硼掺杂比的P型a-Si:H系列薄膜。研究了硼掺杂比对P型a-Si:H薄膜微结构和光/电学性能的影响;同时,对最优掺杂比下的P型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理,以研究薄膜晶体结构的改变对其光/电学性能的影响。结果表明:随着硼掺杂比的增加,P型a-Si:H薄膜的非晶结构没有实质改变,但其光学带隙及电学性能均有明显变化,总结出最佳硼掺杂比为1.0%。经真空退火处理后,P型a-Si:H薄膜的有序程度明显提高,光学带隙从1.81eV降低到1.72eV,电导率提高3个数量级。薄膜的晶体结构比硼掺杂量对薄膜电学性能的改善更为显著。
时惠英董丹蒋百灵鲁媛媛刘宁
关键词：真空退火光学带隙
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0