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吴瑞雪

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇热板
  • 2篇水蒸气
  • 2篇气相沉积
  • 2篇温区
  • 2篇污染
  • 2篇牺牲层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇化学污染
  • 2篇技术工艺
  • 2篇超声
  • 2篇超声清洗
  • 1篇单晶
  • 1篇电极
  • 1篇旋涂
  • 1篇掩模
  • 1篇掩模版
  • 1篇异质结
  • 1篇完整性

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇吴瑞雪
  • 6篇马晓华
  • 6篇王湛
  • 6篇谢涌
  • 2篇雷毅敏
  • 2篇李金金
  • 1篇张鹏
  • 1篇于欣欣

年份

  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法
本发明公开了一种基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法，主要解决先现有技术工艺复杂且易于化学污染的问题。其实现方案是：1)使用化学气相沉积CVD方法在生长基片上生长二维材料薄膜；2)用等离子体激活超薄碳膜Cu网作为目...
马晓华南瑭王湛谢涌李金金吴瑞雪雷毅敏
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基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法
本发明公开了一种基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法，主要解决先现有技术工艺复杂且易于化学污染的问题。其实现方案是：1)使用化学气相沉积CVD方法在生长基片上生长二维材料薄膜；2)用等离子体激活超薄碳膜Cu网作为目...
马晓华南瑭王湛谢涌李金金吴瑞雪雷毅敏
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单层二硫化钼的生长、异质结制备及其器件研究
单层二硫化钼（Molybdenum Disulfide，MoS2）是一种过渡金属硫族化合物（Transition Metal Dichalcogenides，TMDC），具有良好的载流子迁移率及1.8eV的直接带隙，在微...
吴瑞雪
关键词：异质结
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基于CVD法生长MoS<Sub>2</Sub>二维晶体的方法
本发明公开了一种基于CVD法生长MoS<Sub>2</Sub>二维晶体的方法，主要解决传统方法工艺较复杂，可控性差的问题。其实施步骤是：1.对衬底进行超声清洗，将S和MoO<Sub>2</Sub>前驱体置于两个独立的石英...
谢涌王湛吴瑞雪马晓华南瑭詹咏捷严肖瑶
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制备大面积单层二硒化钨单晶的方法
本发明公开了一种制备大面积单层二硒化钨单晶的方法，主要解决了传统制备方法工艺较复杂，可控性差的问题，其实施步骤为：1.选用衬底并进行RCA标准清洗，选取两片衬底依次用去离子水、丙酮和异丙醇超声清洗5分钟，吹干；2.将清洗...
谢涌马晓华何皓南塘王湛吴瑞雪
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基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法
本发明公开了一种基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法，本发明解决传统转移方法工艺繁琐，转移样品完整性不高的问题，其实现方案是：1)在衬底上生长有二维过渡金属硫属化合物的样片上进行光刻胶旋涂，并使用50～60℃的K...
马晓华吴瑞雪谢涌王湛严肖瑶南瑭于欣欣
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一种基于SOI的二维材料电极掩模版制备方法
本发明公开了一种基于SOI的二维材料电极掩模版制备方法，本发明将标准的SOI工艺与干法刻蚀技术结合起来，能够稳定得到大批量的二维材料电极掩模版，且可以在去除金属以后反复使用，极大的扩展了使用金属作为二维材料电极的自由度。
谢涌吴瑞雪马晓华张鹏王湛
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