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王湛

作品数:22 被引量:0H指数:0
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇SUB
  • 4篇电池
  • 4篇阴极
  • 4篇透射电子显微...
  • 4篇牺牲层
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米纤维
  • 4篇刻蚀
  • 4篇空气电池
  • 4篇催化
  • 4篇催化剂
  • 3篇电极
  • 3篇旋涂
  • 3篇异质结
  • 3篇气相沉积
  • 3篇热板
  • 3篇金属
  • 3篇空气阴极
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积

机构

  • 22篇西安电子科技...

作者

  • 22篇王湛
  • 21篇马晓华
  • 12篇雷毅敏
  • 11篇宋芳
  • 8篇谢涌
  • 6篇李健
  • 6篇吴瑞雪
  • 5篇孙静
  • 4篇马佩军
  • 3篇王宏
  • 2篇李金金
  • 1篇孙军
  • 1篇杨眉
  • 1篇张鹏
  • 1篇于欣欣

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 6篇2016
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法
本发明公开了一种GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法,主要解决现有制备方法中GaN基异质结透明薄膜样品在离子减薄时容易造成薄膜减薄过度导致样品制备成功率低的问题。其技术方案是:1.对GaN基异质结薄膜材料...
马晓华宋芳雷毅敏马佩军钟决坤王湛
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一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法
本发明涉及一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法,包括,选取衬底并对其进行超声清洗;将衬底和待反应的前驱体混合物放入反应炉的中央温区,并将待反应的碲粉和硫粉或碲粉和硒粉放入反应炉的气流上游区;对反应炉进行气氛净化;将中...
马晓华王湛王冠飞孙静周伟凡于谦王浩林谢涌
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基于反应离子刻蚀的GaN薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法
本发明公开了一种GaN薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法,主要解决现有制备方法步骤繁琐、耗时较长、薄区不均匀、样品制备成功率低及可靠性低的问题。其实现步骤是:1.将GaN薄膜材料切割成矩形条样品并清洗;2.制备掩膜版,设...
马晓华宋芳钟决坤马佩军雷毅敏王湛
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一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法
本发明涉及一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法,可重构型忆阻器包括:衬底、底电极、阻变功能层和若干顶电极,底电极位于衬底上,底电极的材料采用水溶性金属材料;阻变功能层包括第一水溶性介质层和第二水溶性介质层,第一水溶性介...
孙静马晓华王宏王湛杨眉
GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法
本发明公开了一种GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法,主要解决现有制备方法中GaN基异质结透明薄膜样品在离子减薄时容易造成薄膜减薄过度导致样品制备成功率低的问题。其技术方案是:1.对GaN基异质结薄膜材料...
马晓华宋芳雷毅敏马佩军钟决坤王湛
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Ag/Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>5</Sub>锌-空气电池阴极催化剂的制备方法
本发明公开了一种基于还原法制备Ag/Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>5</Sub>锌?空气电池空气阴极催化剂的制备方法,主要解决传统Pt基催化剂的高成本以及催化剂载体粒径大的问题。其实现步骤是:1.分别配置硝酸银...
雷毅敏马晓华李健宋芳王湛
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Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>5</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>混晶纳米纤维的制备方法
本发明公开了一种基于相转变制备Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>5</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>混相纳米纤维的方法,主要解决传统制备方法成本及能耗较高的问题。其实现步骤是:1.将TiOSO<Sub>4...
马晓华李健雷毅敏宋芳王湛
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Ag/Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>锌‑空气电池阴极催化剂的制备方法
本发明公开了一种Ag/Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>锌‑空气电池阴极催化剂的制备方法,主要解决传统方法工艺繁琐及成本较高的问题。其方案是:1.配置硝酸银前驱液,搅拌均匀后加入Ti<Sub>4</S...
马晓华孙军雷毅敏李健王湛
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基于牺牲层的电极材料转移方法
本发明公开了一种基于牺牲层的电极材料转移方法,主要解决电极材料转移中容易出现裂纹,成功率低的问题,其实现方案是:1)在清洗后的亲水性源衬底上采用电子束蒸发的方法制备具有疏水性质的牺牲层,再旋涂聚酰亚胺液体并进行热固化;2...
马晓华孙静王宏宋芳吴士伟王湛
基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法
本发明公开了一种基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法,主要解决先现有技术工艺复杂且易于化学污染的问题。其实现方案是:1)使用化学气相沉积CVD方法在生长基片上生长二维材料薄膜;2)用等离子体激活超薄碳膜Cu网作为目...
马晓华南瑭王湛谢涌李金金吴瑞雪雷毅敏
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共3页<123>
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