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SiC GTO晶闸管技术现状及发展被引量：8: 2016年; 近年来,基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的高压功率器件迅速发展。在SiC高压功率器件中,门极可关断晶闸管(GTO)具有高阻断电压、大电流、快速关断、低正向导通压降以及耐高温等优点。文章主要阐述了SiC GTO在衬底材料、外延材料、载流子寿命和阻断电压等方面近十几年的发展历程和现状;介绍了具有改良SiC GTO开关特性的碳化硅发射极关断晶闸管(SiC ETO)的特性及其结构和原理;分析了6 500 V SiC ETO的正向导通特性和阻断特性,并通过实验验证了其快速关断特性。最后从器件及其应用的角度提出了SiC GTO晶闸管技术未来发展的方向。; 王俊张渊李宗鉴邓林峰; 关键词：碳化硅门极可关断晶闸管阻断电压载流子寿命

一种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路被引量：3: 2017年; 提出了1种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路,采用电容储能的思想设计了SiC BJT驱动电路和脉冲放电电路。脉冲放电时,整个电路与电网间由高阻隔离;采用达林顿结构实现了充电电路;驱动电路基于硅MOSFET和硅BJT 2级电路,对光耦电流进行快速功率放大。实验结果表明,SiC BJT在脉冲放电时,基极电流从0过渡到器件导通所需电流的上升时间约为6ns。所提出的驱动电路设计思想对高压双极型功率半导体器件的快速驱动开发具有启发意义。; 肖剑波邓林峰张渊黄海清王俊沈征; 关键词：SIC BJT 驱动电路脉冲功率技术

基于神经网络的焊机参数预测方法被引量：7: 2018年; 针对脉冲MIG焊参数众多,不易调节的特点,提出了一种基于神经网络的焊机参数预测方法.该方法采用LM(levenberg-marquarlt)算法建立了焊机参数的BP(back propagation)神经网络模型,充分利用已知的理想数据对网络进行训练,实现了焊接过程中任一给定焊接电流状态下焊机输出参数的预测;利用焊接参数的预测值分别对单、双脉冲MIG焊进行了试焊.结果表明,基于神经网络的焊机参数预测方法精度较高,焊接过程稳定,焊缝成形美观,能够实现良好的一元化调节.; 杨亚超全惠敏邓林峰赵振兴; 关键词：神经网络脉冲焊

一种碳化硅双极结型晶体管新型自适应驱动电路: 2016年; 作为新型半导体材料功率器件的代表，碳化硅双极结型晶体管（SiCBJT）相较硅基晶体管有许多独特的优势，如高电流增益、优良的耐高温可靠性、制作工艺简单以及无碳化硅栅氧可靠性问题，在军用以及日常应用中有着广泛的应用前景。但其作为电流型器件，即使在较大的电流增益系数下，SiCBJT的驱动损耗仍然不可忽略。为了节省驱动功耗，一系列的驱动方式被使用。本文将几种典型的传统BJT驱动应用于SiCBJT，并对其功耗，开关速度进行比较，在此基础上对其参数进行优化，最后提出了一种SiCBJT的新型自适应驱动，通过建立从集电极电流到基极电流的的正反馈，基极电流能够等比例的跟随集电极电流，使得电流增益系数保持稳定，简化了驱动电路并提高了电路的响应速度，同时大大减少了基极稳态驱动功耗。通过斩波电路的实验结果表明，自适应驱动方式稳态功耗仅为恒定基极电流驱动方式稳态功耗的30％左右。; 唐赛廖淋圆王俊帅智康尹新肖靖邓林峰沈征刘江金锐王耀华; 关键词：基极电流

高压SiC晶闸管在UHVDC的应用前景: 为了满足下一代特高压直流输电(UHVDC)换流器对超高电压电力半导体器件的需求，本文结合了仿真和理论分析，研究设计了一个超高电压(30kV)宽禁带碳化硅(SiC)晶闸管，并研究了其在UHVDC 换流器中的应用前景.同时，...; 王俊李清辉邓林峰肖靖帅智康沈征刘江金锐王耀华; 关键词：硅晶闸管碳化硅 UHVDC 损耗

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邓林峰