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王俊: 作品数：17 被引量：38H指数：4; 供职机构：湖南大学电气与信息工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家电网公司科技项目更多>>; 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>

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SiC JMOS和SiC DMOS在Si/SiC混合器件单相逆变器中的应用研究被引量：3: 2019年; Si IGBT与SiC MOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiC MOSFET特性直接影响Si/SiC混合器件的性能,对基于不同类型SiCMOSFET的Si/SiC混合器件的特性差异分析极为必要。该文对比分析基于新型集成结势垒肖特基二极管(JBS)的SiCMOSFET(SiCJMOS)的Si/SiC混合器件(HySJ)和基于传统平面栅SiCMOSFET的传统Si/SiC混合器件(HySD)的特性差异。对比分析2种混合器件的导通特性与开关特性,结果表明,与HySD相比,HySJ具有更低的反向导通压降,更好的反向恢复性能和更小的开通损耗。建立适用于2种混合器件单相逆变器损耗模型,对比分析2种器件在逆变器应用中的损耗差异。设计基于2种混合器件的5kW单相逆变器样机,对比应用2种混合器件的变换器损耗、效率及器件结温。实验结果表明,在轻载条件下,与HySD方案相比,HySJ可以实现最大0.5%的峰值转换效率的提升。; 李宗鉴王俊余佳俊江希沈征; 关键词：损耗模型

一种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路被引量：3: 2017年; 提出了1种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路,采用电容储能的思想设计了SiC BJT驱动电路和脉冲放电电路。脉冲放电时,整个电路与电网间由高阻隔离;采用达林顿结构实现了充电电路;驱动电路基于硅MOSFET和硅BJT 2级电路,对光耦电流进行快速功率放大。实验结果表明,SiC BJT在脉冲放电时,基极电流从0过渡到器件导通所需电流的上升时间约为6ns。所提出的驱动电路设计思想对高压双极型功率半导体器件的快速驱动开发具有启发意义。; 肖剑波邓林峰张渊黄海清王俊沈征; 关键词：SIC BJT 驱动电路脉冲功率技术

高压SiC晶闸管在UHVDC的应用前景: 为了满足下一代特高压直流输电(UHVDC)换流器对超高电压电力半导体器件的需求，本文结合了仿真和理论分析，研究设计了一个超高电压(30kV)宽禁带碳化硅(SiC)晶闸管，并研究了其在UHVDC 换流器中的应用前景.同时，...; 王俊李清辉邓林峰肖靖帅智康沈征刘江金锐王耀华; 关键词：硅晶闸管碳化硅 UHVDC 损耗

高压碳化硅IGBT器件的电学特性: 2023年; 借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的正向载流子注入增强,从而使得p-IGBT导通电流较大。相比较npn晶体管而言,由于n-IGBT内部pnp晶体管的电流增益较低,关断过程中载流子的抽取电流较高,耗尽层扩展速度较快,使得其关断时间较短,因而n-IGBT在动态关断能耗和正向导通压降之间具有较好的折中关系。但n-IGBT关断过程中电压变化率(dv/dt)、电流变化率(di/dt)值较高,特别是发生电压穿通现象过后。因此,应对n-IGBT电磁干扰(EMI)抑制的器件设计技术加以重视。; 肖凯刘航志王振邹延生王俊; 关键词：IGBT 能量损耗

SiC MOSFET与Si IGBT器件温度敏感电参数对比研究被引量：2: 2020年; 功率半导体器件结温是反映器件健康状态的关键指标。目前被认为具有前景的在线实时结温提取方案是基于器件本身的温度敏感电参数TSEPs(temperature sensitive electrical parameters)法,对于Si IGBT器件温敏电参数的在线实时结温提取方法国内外已有大量文献报道,但对于宽禁带SiC器件研究甚少,且对于不同种温敏电参数的特性差异分析极为必要。因此,提出针对不同温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT上的对比分析。首先对SiC MOSFET的静态和动态温敏电参数进行理论建模分析获取结温敏感依据,后续通过实验多维度对比分析温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT的适用性。最后就各温敏电参数的提取电路设计进行分析对比。实验结果表明,通态电阻Ron和开通di/dt更适合于SiC MOSFET,而VTH、td-off和VGP更适合于Si IGBT。; 俞恒裕王俊江希陈建军

Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究被引量：4: 2020年; 综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。; 李宗鉴王俊江希何志志彭子舜余佳俊; 关键词：损耗模型功率模块

电网基波无静差正交正弦波观测技术: 2017年; 快速准确地获取电网相位、频率等信息,对并网逆变器控制具有重要意义。在单相并网系统中,由于缺少与电网电压相互正交的正弦量,无法直接构建基于同步旋转坐标系的同步锁相环来获取电网相位信息。对此,提出一种无静差的正交正弦波观测器技术,可以无静差地提取电网基波和与电网基波相互正交的正弦量,并以此构建单相同步锁相环,实验验证了该方法的有效性。; 李宗鉴王俊帅智康尹新沈征; 关键词：并网逆变器观测器锁相环

快恢复二极管的发展(英文)被引量：1: 2014年; 二极管作为最基本的器件,在电子电路中的应用非常广泛。而随着IGBT和MOS管等器件的发展,对二极管的方向恢复性能的要求越来越高。本文介绍了提高快恢复二极管恢复特性的两种主流技术的发展,即载流子寿命控制技术和发射极效率控制技术。并通过仿真对阳极发射效率控制技术进行了验证,最后对SiC材料的二极管进行了介绍和展望。; 黄昊沈征王俊王达名; 关键词：快恢复二极管

电力电子器件机械应力波的试验研究被引量：7: 2019年; 通过测试电路与数字滤波技术,探究了一种电力电子器件关断机械应力波的测量方法;通过信号处理与频谱分析得到了机械应力波的时域和频域特征参数,如幅值、峰峰值、峰值频率和频率范围.研究结果表明:合理设置采样阈值和阻带频率能够测量机械应力波;IKW40T120型IGBT器件在关断40 A电流时,关断机械应力波的幅值为5.2 mV、峰峰值为9.6 mV,时域波形约持续100μs且振幅衰减,其幅值频谱明显存在3个频率段,分别为20～100 k Hz、150～200 kHz和290～310 kHz,每个频率段具有1个峰值频率点,分别为54 kHz、163 kHz和299 kHz,几乎呈现1倍、3倍、5倍频关系,三峰值频率点对应的峰值差异较大,分别为1.24 mV、0.69 mV和0.36 mV.; 李孟川孟志强胡毅王俊何赟泽邹翔焦文豪欧阳红林; 关键词：电力电子器件可靠性

一种碳化硅双极结型晶体管新型自适应驱动电路: 2016年; 作为新型半导体材料功率器件的代表，碳化硅双极结型晶体管（SiCBJT）相较硅基晶体管有许多独特的优势，如高电流增益、优良的耐高温可靠性、制作工艺简单以及无碳化硅栅氧可靠性问题，在军用以及日常应用中有着广泛的应用前景。但其作为电流型器件，即使在较大的电流增益系数下，SiCBJT的驱动损耗仍然不可忽略。为了节省驱动功耗，一系列的驱动方式被使用。本文将几种典型的传统BJT驱动应用于SiCBJT，并对其功耗，开关速度进行比较，在此基础上对其参数进行优化，最后提出了一种SiCBJT的新型自适应驱动，通过建立从集电极电流到基极电流的的正反馈，基极电流能够等比例的跟随集电极电流，使得电流增益系数保持稳定，简化了驱动电路并提高了电路的响应速度，同时大大减少了基极稳态驱动功耗。通过斩波电路的实验结果表明，自适应驱动方式稳态功耗仅为恒定基极电流驱动方式稳态功耗的30％左右。; 唐赛廖淋圆王俊帅智康尹新肖靖邓林峰沈征刘江金锐王耀华; 关键词：基极电流

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