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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇性能研究
  • 1篇逸出功
  • 1篇透过率
  • 1篇PDP

机构

  • 1篇东莞理工大学
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇林祖伦
  • 1篇王小菊
  • 1篇刘曾怡
  • 1篇权祥
  • 1篇邓维伟

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
适用于PDP的透明六硼化镧薄膜性能研究被引量:3
2011年
采用电子束蒸发方法在商用PDP玻璃衬底和Ta衬底上沉积六硼化镧薄膜。分别对PDP玻璃衬底上沉积的六硼化镧薄膜的可见光范围内的透过率、薄膜生长取向和附着力进行了研究;对钽衬底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究。结果表明,制备的六硼化镧薄膜厚度为43nm时,在可见光范围内透过率大于90%,优于传统MgO保护层;六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点,薄膜的晶格常数与靶材相差小于0.2‰,薄膜的晶粒细小,成膜致密均匀;制备的透明六硼化镧薄膜的逸出功为2.56eV。
刘曾怡林祖伦王小菊邓维伟权祥
关键词:电子束蒸发透过率逸出功PDP
共1页<1>
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