邹德惠
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
- 相关领域：核科学技术电气工程电子电信更多>>
- 等效中子注量在线测试系统的研制
- 从晶体管直流增益与受照中子注量呈线性变化的关系出发，使用晶体管作为中子注量在线测量的探测器，建立了以计算机、多通道同步采集卡、任意波形发生器、测试转接板等硬件为基础，基于LabVIEW测试平台的中子注量在线监测系统。在C...
- 鲁艺邹德惠邱东李俊杰荣茹
- 关键词：直流增益等效中子注量
- 双极晶体管的瞬时中子辐射损伤规律试验研究被引量：2
- 2015年
- 瞬时中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DK9D作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化,获得了双极晶体管对脉冲中子辐照的响应特性。结果表明,晶体管的瞬时辐射效应是电离损伤和位移损伤共同作用的结果。在相同累计中子注量下,瞬态辐照损伤效应远强于稳态辐照损伤结果。
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- 关键词：双极晶体管直流增益中子注量
- 基于晶体三极管的不同中子能谱等效性实验研究被引量：3
- 2014年
- 辐射损伤等效性系数是评价不同中子能谱对样品的实验损伤差异的关键。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DG121C作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化,分别获得了CFBR-II堆两个特定位置的损伤常数,推导出了不同中子能谱间的辐射损伤等效系数。结果表明,CFBR-II不同位置的辐射损伤没有显著差异。
- 鲁艺邱东邹德惠荣茹
- 关键词：硅双极晶体管
