邱东
- 作品数：42 被引量：33H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信理学电气工程更多>>
- 基于波形逼近的快中子脉冲堆耦合计算被引量：1
- 2016年
- 快中子脉冲堆在爆发脉冲过程中的中子输运与热弹性力学相互耦合,该耦合作用过程决定了脉冲特性。基于绝热近似下燃料元件温升始终正比于系统总裂变数的事实,提出了通过调整参数使温升随时间变化的曲线逼近裂变率曲线的耦合计算方法。在迭代逼近过程中,采用了有限元商业软件ANSYS处理力学建模和热弹性力学求解,利用点堆方程描述中子学行为,两者利用基于微扰理论的反应性反馈方程进行耦合。通过调整参数使力学模型的温升加载函数波形逼近通过输运计算得到的裂变率波形,直至两者一致。以Lady Godiva脉冲堆为例的裂变产额计算结果与实验结果一致,该计算方法有望用于快中子脉冲堆的研究和设计。
- 梁文峰谢奇林高辉邱东杨成德
- 关键词：快中子脉冲堆LADY
- 基于晶体管的辐射效应在线测试系统研制
- 从晶体管直流增益与受照中子注量呈线性关系出发,使用晶体管作为辐照效应参数在线测量探测器,研制了以计算机、矩阵开关、多通道同步采集卡、任意波形发生器以及测试转接板等硬件为基础,基于LabVIEW平台的辐照效应测试系统。在C...
- 鲁艺邱东荣茹
- 关键词：中子注量
- 文献传递
- CFBR-Ⅱ堆累计中子注量在线记录系统研制被引量：1
- 2012年
- 为提高中子辐照装置中子注量测量及控制精度,满足精密度较高、辐照注量较小和在线多点测量辐照实验需求,提出了累计中子注量在线记录系统研制。该系统采用对堆运行功率曲线积分的方法求取累计中子注量,通过局域网通信实现信息实时交互来满足设计要求。论文从硬件和软件两方面详细介绍了该系统的实现方法。
- 白忠雄邱东胡倩李俊杰王成
- 关键词：辐照中子注量
- 脉冲中子辐照下伴随γ对晶体管器件的影响实验研究
- 脉冲中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用CFBR-Ⅱ 快中子脉冲堆的实验通道，对双极晶体管进行了脉冲中子辐照，通过控制辐射场样品位置处的n/γ比，得到了中子及伴随γ粒子对晶体管的损伤特性。结果 表...
- 鲁艺李俊杰邱东荣茹邹德慧
- 关键词：脉冲中子辐照
- 浓缩铀柱形临界装置徒手装配临界安全检验
- 2010年
- 为完成徒手装配浓缩铀柱形临界装置临界安全检验实验,设计了基于薄膜装配的验证系统,以替代浓缩铀柱形临界装置上半部分结构。用MCNP程序计算了浓缩铀柱形临界装置上半部分及验证系统密合时的有效增殖因子keff。实验测得验证系统中心增殖不会超过12.50,满足徒手装配装置中心增殖限定值15的要求。实验结果表明,验证系统设计合理,徒手装配浓缩铀柱形临界装置是安全的。
- 金宇杜金峰李茂辉邱东
- 关键词：中子增殖
- 电桥应力系统在强脉冲中子场中的辐照效应被引量：1
- 2008年
- 以快中子脉冲反应堆为试验平台,简要描述了电桥应力系统在强脉冲中子辐射场中的辐照效应表象,以效应试验结果为基础,分析了辐照效应产生机理,并据此提出了减小或消除辐照效应的基本方法。验证试验结果表明:精密桥臂电阻的瞬态中子辐射损伤是导致应变信号出现突变的根本原因,而采用辐射屏蔽和"背片法"的措施可以有效地减小或消除应力系统的辐照效应。
- 邱东尹延朋
- 关键词：电桥辐照效应
- 基于晶体管的辐射效应在线测试系统研制
- 从晶体管直流增益与受照中子注量呈线性关系出发,使用晶体管作为辐照效应参数在线测量探测器,研制了以计算机、矩阵开关、多通道同步采集卡、任意波形发生器以及测试转接板等硬件为基础,基于LabVIEW平台的辐照效应测试系统。在C...
- 鲁艺邱东荣茹
- 关键词：中子注量
- Al-B_4C复合材料中子吸收性能研究被引量：4
- 2016年
- 利用蒙特卡罗方法和^(252)Cf中子源研究了在准直热中子入射束下,15%~30%(质量分数)碳化硼含量的Al-B_4C复合材料的中子吸收系数和宏观截面。结果表明,Al-B_4C复合材料的中子吸收系数随碳化硼含量增加而增大,相同碳化硼含量的材料其中子吸收系数随厚度的增加按指数规律变化;^(252)Cf中子源测试得到的中子吸收系数比0.0253eV单能热中子计算得到的吸收系数低0.5%~4.3%;Al-B_4C复合材料的宏观截面随着碳化硼含量的增加呈线性递增的关系,而且理想热中子0.0253eV下的递增率(0.97925cm^(-1)/%)大于^(252)Cf中子源构建0~1eV中子下的递增率(0.58537cm^(-1)/%)。
- 张玲石建敏连玄邱东雷家荣梁建华周晓松彭述明
- 关键词：蒙特卡罗
- 双极晶体管的瞬时中子辐射损伤规律试验研究被引量：2
- 2015年
- 瞬时中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DK9D作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化,获得了双极晶体管对脉冲中子辐照的响应特性。结果表明,晶体管的瞬时辐射效应是电离损伤和位移损伤共同作用的结果。在相同累计中子注量下,瞬态辐照损伤效应远强于稳态辐照损伤结果。
- 鲁艺邱东李俊杰邹德惠荣茹
- 关键词：双极晶体管直流增益中子注量
- 柱形临界装置活性区组件中子增殖就地测量
- 2011年
- 为检验柱形临界装置活性区设计预留的徒手装配的安全裕度是否恰当,建立偏保守实验模型,开展中子增殖就地测量实验。通过逐步添加裂变系统部件模拟徒手装配状态,测量得到实验状态下的增殖值为2.67。该值低于GB15146.7-94规定的限值,证明活性区设计留有的安全裕度足够大,徒手装配时不存在临界安全问题。
- 金宇李茂辉邱东杨成德周静
- 关键词：中子增殖
