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刘大鹏

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：上海航天技术研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇阻值
  • 1篇闩锁
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇微光
  • 1篇可控硅
  • 1篇激光
  • 1篇激光诱导
  • 1篇SCR

机构

  • 1篇上海航天技术...

作者

  • 1篇祝伟明
  • 1篇刘大鹏
  • 1篇刘楠
  • 1篇张辉

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析被引量：4
2015年
随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。
刘楠刘大鹏张辉祝伟明
关键词：闩锁效应
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