祝伟明
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：上海航天技术研究院更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程航空宇航科学技术更多>>
- 一种锂离子电池管理芯片的失效定位
- 2019年
- 针对一种锂离子电池管理芯片的失效定位进行了研究。某单机在测试时由于锂离子电池管理芯片失效,导致所采集的电压数据间歇异常跳变。经一致性分析,发现失效锂离子电池管理芯片老炼后的转换功耗和回读功耗与同批次芯片相比异常增加。通过微光分析和版图对比,发现失效芯片中菊花链电流比较器的NMOS管存在漏电缺陷。对比较器工作原理进行进一步分析,并分析了SCLK接口和CNVST接口的翻转阈值与功耗变化量之间的关系,确认了芯片失效是由于NMOS管漏电所导致,且通过电老炼可以暴露NMOS管的漏电缺陷。最后,针对器件功耗变化量与内部NMOS管漏电之间的关系进行了仿真和计算,定量验证了锂离子电池管理芯片老炼后功耗的增加是由于比较器NMOS管漏电引起的。
- 廉鹏飞张辉祝伟明莫艳图蒋坤孔泽斌楼建设王昆黍
- 关键词：比较器功耗
- 电线断裂失效的原因及特点被引量：2
- 2012年
- 电子电气设备中使用的电线一般是多股裸铜线或覆银铜线绞合而成的。由于电线内各芯线在电线内位置不同,受力状态也不同,断裂后同一根电线内的不同芯线可能呈现不同的断裂模式,同时由于电线芯线与大型构件相比较尺寸较小(最细仅为0.05 mm);因此,电线断裂分析也不同于一般传统意义上的断口分析。分析了电线断裂失效的原因及特点,为设计和工艺人员在提高电线可靠性设计时提供参考。
- 张超李玮祝伟明
- 关键词：延性断裂
- 片式钽电容器二氧化锰层固有批次性质量缺陷失效分析
- 2020年
- 对一起由于片式钽电容器二氧化锰层固有质量缺陷引起的批次性质量问题进行深入分析,结果显示钽芯周围阴极二氧化锰层质量结构上存在规律性分布不均,会导致产品加电、断电过程中冲击电流向钽芯底面顶点位置集中而引发失效,该案例反映出目前片式钽电容器业内在阴极二氧化锰层控制上还存在盲区,结合已有的剖面数据和目前行业制造水平对二氧化锰层控制要求进行了初步给定,但由于尚缺乏系统二氧化锰层可靠性研究数据,故业内厂家仍需进一步优化工艺参数,累积可靠性数据,完备工艺控制和质量控制方法。
- 李娟李春朱敏蔚孔泽斌祝伟明
- 关键词：片式钽电容器
- 一种功率运算放大器失效机理的研究
- 2020年
- 对一种功率运算放大器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。功率运算放大器在测试时发生失效,同时,-20 V供电电源电压在加电过程中存在波动。通过内部目检发现失效芯片内部驱动晶体管及相连的金属均存在过流烧毁形貌。对失效功率运算放大器和良好功率运算放大器进行红外热成像分析,失效器件的温升总体比台温高10℃。通过失效分析,供电电源发生快速突跳导致了功率运算放大器内的晶体管在导通和关断之间快速切换形成热量累积效应,从而导致器件烧毁,造成功率运算放大器过流失效。对电源输出波形异常原因进行分析,电源限流过小导致电源电压降低,从而造成加电时快速突跳。最后,搭建测试电路对功率运算放大器进行复现实验,进一步证明了器件的失效机理。
- 廉鹏飞孔泽斌陈倩杨洋李娟祝伟明楼建设王昆黍
- 关键词：功率运算放大器电源过流限流
- 由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析被引量：4
- 2015年
- 随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。
- 刘楠刘大鹏张辉祝伟明
- 关键词：闩锁效应
