刘汝萍
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 0．13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现被引量：1
- 2014年
- 基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。
- 吕灵娟刘汝萍林敏杨根庆邹世昌
- 关键词：标准单元库
- 半绝缘砷化镓阈值电压均匀性的研究
- 砷化镓器件与电路具有速率快、功耗低、噪声小、耐高温、抗幅照等优点,在卫星、光纤通信、超高速计算机、高速测试仪器、移动通讯和航空航天等领域有着重要的应用.但到目前为止,要获得完美的GaAs单晶还较困难,材料质量的优劣严重地...
- 刘汝萍
- 关键词：阈值电压集成电路GAAS单晶
- 文献传递
- 0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证被引量：1
- 2017年
- 基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的功能和性能,同时为了满足总剂量辐射测试的试验要求,开发了现场可编程门阵列(FPGA)自动测试平台,用于芯片测试和数据采集工作。试验在模拟空间辐射环境下进行,通过了总剂量150 krad(Si)的辐射测试。测试经过辐射后的芯片,单元功能保持正确,性能变化在10%以内,经过退火处理后,内核(core)电流恢复辐射前的水平。
- 卢仕龙刘汝萍林敏俞跃辉董业民
- 关键词：标准单元库总剂量辐射
