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邹世昌
作品数:
4
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
吕灵娟
中国科学院大学
刘汝萍
中国科学院上海微系统与信息技术...
林敏
中国科学院上海微系统与信息技术...
杨根庆
中国科学院上海微系统与信息技术...
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0.13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现
被引量:1
2014年
基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。
吕灵娟
刘汝萍
林敏
杨根庆
邹世昌
关键词:
标准单元库
半导体芯片制造业在信息产业中的地位与作用
2001年
邹世昌
关键词:
信息产业
微电子产业
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