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曾重

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：湖南大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 8篇封装
  • 8篇封装结构
  • 6篇金属板
  • 5篇键合
  • 4篇电力
  • 4篇电力电子
  • 4篇电力电子器件
  • 4篇电子器件
  • 4篇开关
  • 4篇管芯
  • 4篇二极管
  • 4篇二极管芯片
  • 3篇键合线
  • 2篇单芯片
  • 2篇电流
  • 2篇压接
  • 2篇排针
  • 2篇金属
  • 2篇开关性能
  • 2篇集电极

机构

  • 9篇湖南大学
  • 2篇江西中能电气...

作者

  • 9篇曾重
  • 6篇王俊
  • 2篇李锋

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2016
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构
本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述DBC板上并联设置有Si IGBT...
王俊曾重付启卉刘轶哲
文献传递
新型大电流IGBT器件及状态监测技术研究
高端电力电子装备在现代制造业中发挥着尤为重要的作用角色,功率半导体器件又是高端电力电子装备中的核心部件。在商业化成熟的功率半导体器件中,绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor...
曾重
关键词：结温
一种圆形大尺寸IGBT芯片压接封装结构及制造方法
发明公布了一种圆形大尺寸IGBT芯片压接封装结构及制造方法，其包括自上而下依次设置的发射极端盖、发射极钼片、栅极弹簧针组件、栅极金属、发射极钼片定位架、柔软导电金属薄片、发射极金属、IGBT芯片、集电极金属、集电极带定位...
王俊李锋曾重
文献传递
一种单芯片双向IGBT模块的封装结构
本发明涉及一种单芯片双向IGBT模块的封装结构，其包括依次设置的底部金属板、底部DBC板、单芯片双向IGBT器件、顶部DBC板以及顶部金属板；底部DBC板包括第二门极覆铜区和第二发射极覆铜区；单芯片双向IGBT器件的第二...
曾重敖杰王俊沈征
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一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构
本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述DBC板上并联设置有Si IGBT...
王俊曾重付启卉刘轶哲
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一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构
本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述顶部DBC板上并联设置有MOSFE...
王俊付启卉曾重刘轶哲
一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构
本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述顶部DBC板上并联设置有MOSFE...
王俊付启卉曾重刘轶哲
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一种单芯片双向IGBT单管的封装结构
本发明涉及一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其包括底部金属板和顶部金属板，单芯片双向IGBT器件设置在所述底部金属板和所述顶部金属板之间，所述顶部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第一发射极，所述底部金属板覆盖...
曾重敖杰王俊沈征
文献传递
一种圆形大尺寸IGBT芯片压接封装结构及制造方法
发明公布了一种圆形大尺寸IGBT芯片压接封装结构及制造方法，其包括自上而下依次设置的发射极端盖、发射极钼片、栅极弹簧针组件、栅极金属、发射极钼片定位架、柔软导电金属薄片、发射极金属、IGBT芯片、集电极金属、集电极带定位...
王俊李锋曾重
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