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王俊

作品数：105 被引量：7H指数：2
供职机构：湖南大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 100篇专利
  • 4篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 13篇自动化与计算...
  • 8篇电气工程
  • 5篇建筑科学
  • 5篇交通运输工程
  • 3篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇艺术

主题

  • 16篇逆变
  • 12篇逆变器
  • 12篇并联
  • 11篇电力
  • 11篇碳化硅
  • 11篇半导体
  • 10篇开关
  • 10篇二极管
  • 9篇电力电子
  • 9篇电流
  • 8篇金属
  • 7篇单片
  • 7篇单片集成
  • 7篇导通
  • 7篇电力电子器件
  • 7篇电路
  • 7篇电容
  • 7篇电子器件
  • 7篇封装
  • 6篇电压

机构

  • 100篇湖南大学
  • 5篇中国工商银行...
  • 4篇清华大学

作者

  • 105篇王俊
  • 11篇张倩
  • 10篇江希
  • 9篇帅智康
  • 9篇沈征
  • 8篇张超
  • 7篇戴瑜兴
  • 7篇胡波
  • 6篇尹新
  • 6篇王雨薇
  • 6篇曾重
  • 5篇杨鑫
  • 4篇蒋梦轩
  • 4篇王维
  • 4篇黄文
  • 4篇唐赛
  • 3篇刘增
  • 2篇张渊
  • 2篇李杨
  • 2篇周猛

年份

  • 1篇2024
  • 15篇2023
  • 14篇2022
  • 19篇2021
  • 18篇2020
  • 14篇2019
  • 10篇2018
  • 9篇2017
  • 4篇2015
  • 1篇2001
共 105 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件及其制备方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件，包括形成于N型重掺杂半导体衬底之上的N型半导体漂移区；形成于N型半导体漂移区表面的P阱区和JFET区形成于P阱区表面的P型重掺杂半导体...
王俊张倩邓高强
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一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构
本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述DBC板上并联设置有Si IGBT...
王俊曾重付启卉刘轶哲
文献传递
一种测试案例的自动生成方法及装置
本发明提供一种测试案例的自动生成方法及装置，所述方法包括：获取需求项对应的业务模型；根据所述需求项对应的业务模型，获得每个业务模型对应的IT服务模型；根据每个业务模型对应的IT服务模型，获得所述需求项对应的第一相关业务模...
王俊薛煜峰张桂伟张志
文献传递
一种下垂控制方法和系统
本发明涉及电力电子控制技术领域，特别涉及一种下垂控制方法和系统，在传统下垂控制的基础上引入具有发电机调速特性的调速步骤、电压惯性步骤和频率惯性步骤，进一步提升了分布式发电单元的刚性；在调速步骤中增加有功下垂调节步骤，使分...
王俊彭子舜戴瑜兴
一种下垂控制方法
本发明提供一种下垂控制方法，所述方法提出一种下垂控制—解耦下垂控制；提出一种改进粒子群优化算法——具有多群体和多速度更新方式的改进粒子群优化算法(MMPSO)；建立了基于改进粒子群优化算法的离线优化模型，模型中每个逆变电...
彭子舜王俊
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测试案例生成方法、装置及系统
本发明提供一种测试案例生成方法、装置及系统，可应用于金融技术领域或其他技术领域。该测试案例生成方法包括：接收来自客户端的QTP测试脚本和屏幕截图文件；识别屏幕截图文件中的图像文字信息和图形特征；结合图像文字信息和图形特征...
王俊冯强张桂伟徐颖
一种逆导型SiC GTO半导体器件及其制备方法
本发明提供了一种逆导型SiC GTO半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。该半导体结构包括：第一掺杂类型P+注入层，第二掺杂类型N+注入层，第一掺杂类型P缓冲层，第一掺杂类型P‑漂移层，第二掺杂类型N基区，第...
王俊刘航志
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一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件及其制备方法
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件，元胞结构包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移区，N‑漂移区的顶部设有电流扩散层；N‑漂移区顶部设有P‑base区，P‑bas...
王俊张锦奕俞恒裕梁世维邓高强刘航志
一种超结型快恢复二极管器件
本发明公布了一种超结型快恢复二极管器件，自下而上包括阴极金属层、N+阴极区、N型缓冲层、P型区和阳极金属层，所述N型缓冲层和P型区之间还设置有由交替掺杂的P型柱区和N型柱区组成的超结结构。本发明改善硅基功率器件固有的通态...
王俊张倩俞恒裕梁世维刘航志江希彭子舜杨余
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一种碳化硅功率器件复合终端结构及其制备方法
本发明公布了一种碳化硅功率器件复合终端结构，其特征在于，包括器件元胞和复合终端，所述复合终端包括斜面刻蚀工艺形成的结终端延伸结构和离子注入工艺形成的结终端延伸结构。本发明还公开一种碳化硅功率器件复合终端结构的制备方法。本...
王俊俞恒裕梁世维刘航志江希彭子舜岳伟杨余张倩
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