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赵永峰

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江师范大学数理信息学院更多>>
发文基金：浙江省科技厅项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子发射
  • 1篇多孔硅
  • 1篇性能研究
  • 1篇阳极氧化法
  • 1篇场电子发射
  • 1篇场致电子发射

机构

  • 1篇浙江师范大学

作者

  • 1篇虞献文
  • 1篇童国平
  • 1篇蒋洪奎
  • 1篇蔡南科
  • 1篇郑建龙
  • 1篇赵永峰

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米多孔硅的场致电子发射性能研究
2009年
对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 nm左右。室温条件下测试了多孔硅场电子发射的特性,结果表明,多孔硅具有很好的场致发光性能,在5 V/μm的电场下就可以产生场发射电流。多孔硅的开启电压在1 000 V左右,发射电流随着电压的增大而不断增大,发射电压在2 000 V以上。
蒋洪奎赵永峰童国平蔡南科郑建龙虞献文
关键词：多孔硅阳极氧化法场电子发射
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共1页<1>
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