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陈维君

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇刻蚀
  • 1篇干法刻蚀
  • 1篇CL
  • 1篇ICP
  • 1篇INP
  • 1篇INP/IN...
  • 1篇INGAAS

机构

  • 1篇四川大学
  • 1篇重庆光电技术...

作者

  • 1篇龚敏
  • 1篇蔡娟露
  • 1篇石瑞英
  • 1篇唐龙谷
  • 1篇陈维君
  • 1篇田坤
  • 1篇黄晓峰

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于Cl_2基气体的InP/InGaAs干法刻蚀研究被引量：1
2009年
对于用Cl2/Ar和Cl2/CH4/H2感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP/InGaAs多层膜进行了研究。发现用Cl2/Ar刻蚀InP/InGaAs时InP侧壁内切,在InP和InGaAs界面存在侧壁不连续问题。而用Cl2/CH4/H2刻蚀时,两层侧壁是平整连续的,且刻蚀区表面的粗糙度也比较小。分析了两种气体组合的刻蚀机理,对上述实验现象给出了解释。
唐龙谷田坤黄晓峰蔡娟露陈维君龚敏石瑞英
关键词：INGAASINPICP
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共1页<1>
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