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唐龙谷

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:四川大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电势
  • 1篇电子辐照
  • 1篇电子器件
  • 1篇遗传算法
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极型...
  • 1篇英文
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇刻蚀
  • 1篇基极
  • 1篇基极电流
  • 1篇集电极
  • 1篇集电极电流
  • 1篇光谱
  • 1篇红外
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光谱
  • 1篇辐照效应

机构

  • 4篇四川大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇重庆光电技术...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇石瑞英
  • 4篇唐龙谷
  • 3篇龚敏
  • 2篇田野
  • 1篇程兴华
  • 1篇陈志涛
  • 1篇蔡娟露
  • 1篇张国义
  • 1篇蒲林
  • 1篇于彤军
  • 1篇何志刚
  • 1篇温景超
  • 1篇谭开州
  • 1篇陈维君
  • 1篇田坤
  • 1篇黄晓峰

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文)被引量:3
2011年
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。
温景超石瑞英龚敏唐龙谷田野谭开州蒲林
关键词:异质结双极型晶体管集电极电流
GaAs HBT电子辐照效应研究
在宇宙空间存在由各种高能质子、高能电子、X射线、中子、γ射线等组成的宇宙射线。为提高电子器件在各种辐照环境下的生存能力和可靠性,确保电子设备在辐照环境下正常工作,必须开展电子器件的辐照效应研究。电子辐照后,GaAs HB...
田野何志刚唐龙谷石瑞英
关键词:辐照效应电子器件基极电流
文献传递
GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究被引量:1
2008年
利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体GaMnN材料的晶格振动特性.并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取.通过与GaN薄膜的洛伦兹振子模型参数的对比研究发现,GaN掺入Mn后,ωTO向高频方向移动,γ,ε∞和εs均增加,而ωLO基本保持不变.文中同时分析和讨论了Mn对晶格振动特性的影响及介电函数变化的机理.
程兴华唐龙谷陈志涛龚敏于彤军张国义石瑞英
关键词:遗传算法
基于Cl_2基气体的InP/InGaAs干法刻蚀研究被引量:1
2009年
对于用Cl2/Ar和Cl2/CH4/H2感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP/InGaAs多层膜进行了研究。发现用Cl2/Ar刻蚀InP/InGaAs时InP侧壁内切,在InP和InGaAs界面存在侧壁不连续问题。而用Cl2/CH4/H2刻蚀时,两层侧壁是平整连续的,且刻蚀区表面的粗糙度也比较小。分析了两种气体组合的刻蚀机理,对上述实验现象给出了解释。
唐龙谷田坤黄晓峰蔡娟露陈维君龚敏石瑞英
关键词:INGAASINPICP
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