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刘国荣

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：华南理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇单晶
  • 4篇体声波
  • 4篇体声波谐振器
  • 4篇谐振器
  • 4篇薄膜体声波谐...
  • 3篇低应力
  • 3篇底电极
  • 3篇多谐振
  • 3篇压电薄膜
  • 3篇通带
  • 3篇通带滤波器
  • 3篇稳定特性
  • 3篇谐振
  • 3篇谐振模式
  • 3篇滤波器
  • 3篇功率容量
  • 3篇ALN
  • 2篇品质因数
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝

机构

  • 7篇华南理工大学

作者

  • 7篇刘国荣
  • 6篇李洁
  • 6篇李国强
  • 3篇张子辰

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用
本发明属于声波器件材料的技术领域，公开了一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用。所述低应力状态单晶AlN薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽；所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上，并将外延A...
李国强李洁朱运农张子辰刘国荣
一种生长在衬底上的低应力状态单晶AlN
本实用新型属于声波器件材料的技术领域，公开了一种生长在衬底上的低应力状态单晶AlN。所述生长在衬底上的低应力状态单晶AlN薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽；所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上，并将外...
李国强李洁朱运农张子辰刘国荣
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多谐振模式的薄膜体声波谐振器和滤波器
本实用新型公开了多谐振模式的薄膜体声波谐振器，依次包括硅衬底和压电堆叠结构，所述压电堆叠结构之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔；所述压电堆叠结构由下至上依次包括底电极、两层以上的压电薄膜、顶电极。本实用新型的薄膜体声...
李国强刘国荣李洁
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一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用
本发明属于声波器件材料的技术领域，公开了一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用。所述低应力状态单晶AlN薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽；所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上，并将外延A...
李国强李洁朱运农张子辰刘国荣
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多谐振模式的薄膜体声波谐振器及其制备方法和滤波器
本发明公开了多谐振模式的薄膜体声波谐振器，依次包括硅衬底和压电堆叠结构，所述压电堆叠结构之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔；所述压电堆叠结构由下至上依次包括底电极、两层以上的压电薄膜、顶电极。本发明的薄膜体声波谐振器...
李国强刘国荣李洁
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多谐振模式的薄膜体声波谐振器及其制备方法和滤波器
本发明公开了多谐振模式的薄膜体声波谐振器，依次包括硅衬底和压电堆叠结构，所述压电堆叠结构与硅衬底之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔；所述压电堆叠结构由下至上依次包括底电极、两层以上的压电薄膜、顶电极。本发明的薄膜体声...
李国强刘国荣李洁
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基于单晶AlN薄膜的FBAR制备研究
随着无线通信技术的迅速发展,传统的滤波器已无法满足射频前端高频化、微型化、集成化的要求。薄膜体声波谐振器（FBAR）以其优异的性能,如体积小、损耗低、功率容量大、可集成等优势,被认为是目前最佳的滤波器解决方案。同时,由于...
刘国荣
关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝单晶键合
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