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张子辰
作品数:
26
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供职机构:
华南理工大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
医药卫生
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合作作者
李国强
华南理工大学
张云鹏
华南理工大学
林志霆
华南理工大学
刘国荣
华南理工大学
李洁
华南理工大学
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一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法,在LED外延片表面采用光刻结合纳米压印、电感耦合等离子体刻蚀标准光刻、溅射等手段制备NiO阵列纳米点/Ag的反射镜。使用紫外纳米压印技术制备阵列Ni...
李国强
张云鹏
张子辰
一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用
本发明属于声波器件材料的技术领域,公开了一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用。所述低应力状态单晶AlN薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽;所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上,并将外延A...
李国强
李洁
朱运农
张子辰
刘国荣
一种弧线形N电极及垂直结构LED芯片
本实用新型公开了一种弧线形N电极,包括插指和焊盘;所述焊盘为长方形;所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成;所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构;所述中心区域插指由垂直插指和一根弧线形插指组成;所述中心区域...
李国强
张云鹏
张子辰
一种生长在衬底上的低应力状态单晶AlN
本实用新型属于声波器件材料的技术领域,公开了一种生长在衬底上的低应力状态单晶AlN。所述生长在衬底上的低应力状态单晶AlN薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽;所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上,并将外...
李国强
李洁
朱运农
张子辰
刘国荣
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一种稻草人形N电极及垂直结构LED芯片
本发明公开了一种稻草人形N电极,包括插指和焊盘;所述焊盘为长方形;所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成;所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构;所述中心区域插指由一根垂直插指和两根平行插指组成;所述中心区域...
李国强
张云鹏
张子辰
文献传递
一种InGaN基蓝光探测器及其制备方法
本发明公开了一种InGaN基蓝光探测器,包括衬底层,所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n-InGaN层;所述Si掺杂的n-InGaN层的一侧表面上覆盖有i-InGaN层,另一侧表面覆盖有第一Au层...
李国强
张子辰
林志霆
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一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法
本发明公开了一种AlInP基蓝光探测器,包括依次设置的基底、第一n‑AlInP层、第一p‑AlInP层、第二n‑AlInP层、第二p‑AlInP层、第三p‑AlInP层;还包括SiO<Sub>2</Sub>层、第一Au电...
李国强
张子辰
林志霆
陈淑琦
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一种两步法制备Ag反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种两步法制备Ag反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法,包括在Si衬底上制备LED外延层,在LED外延层制备Ni/Ag‑contact/Ag‑bulk/X反射镜、保护层、键合层、p电极图案等;再将外延层转移...
李国强
张云鹏
张子辰
一种弧线形N电极及垂直结构LED芯片
本发明公开了一种弧线形N电极,包括插指和焊盘;所述焊盘为长方形;所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成;所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构;所述中心区域插指由垂直插指和一根弧线形插指组成;所述中心区域插指...
李国强
张云鹏
张子辰
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一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法,在LED外延片表面采用光刻结合纳米压印、电感耦合等离子体刻蚀标准光刻、溅射等手段制备NiO阵列纳米点/Ag的反射镜。使用紫外纳米压印技术制备阵列Ni...
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