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刘银涛

作品数:32 被引量:0H指数:0
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 17篇SUB
  • 15篇PBI
  • 13篇衬底
  • 11篇探测器
  • 9篇光电
  • 9篇光电探测
  • 9篇光电探测器
  • 8篇异质结
  • 7篇载流子
  • 7篇钙钛矿
  • 6篇暗电流
  • 6篇HEMT
  • 6篇HEMT器件
  • 6篇LT
  • 5篇导电
  • 5篇导电玻璃
  • 5篇载流
  • 5篇栅电极
  • 5篇光生
  • 5篇光生载流子

机构

  • 32篇西安电子科技...

作者

  • 32篇刘银涛
  • 31篇张玉明
  • 31篇贾仁需
  • 13篇栾苏珍

年份

  • 3篇2020
  • 9篇2019
  • 6篇2018
  • 14篇2017
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的P型HHMT晶体管及其制备方法
本发明涉及一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。该方法包括:选取Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>材料作为...
贾仁需汪钰成庞体强刘银涛张玉明
文献传递
基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法
本发明涉及一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括:选取衬底;形成FTO薄膜;制备CH<Sub>3</Sub>NH<...
贾仁需刘银涛汪钰成庞体强张玉明
文献传递
垂直型光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法,包括:S1:选取衬底;S2:在所述衬底上生长底电极层;S3:在所述底电极层上生长二硫化钼层;S4:在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层;S5:在所述杂化钙钛矿层上生长顶电极。本发明...
贾仁需庞体强栾苏珍张玉明汪钰成刘银涛
基于CH&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;NH&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;PbI&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;材料的N型双向HEMT器件及其制备方法
本发明涉及一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括:选取衬底;形成FTO薄膜;制备CH<Sub>3</Sub>NH<...
贾仁需刘银涛汪钰成庞体强张玉明
文献传递
垂直型光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法,包括:S1:选取衬底;S2:在所述衬底上生长底电极层;S3:在所述底电极层上生长二硫化钼层;S4:在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层;S5:在所述杂化钙钛矿层上生长顶电极。本发明...
贾仁需庞体强栾苏珍张玉明汪钰成刘银涛
文献传递
基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的P型双向HHET器件及其制备方法
本发明涉及一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的P型双向HHET器件及其制备方法。该方法包括:在选取的衬底材料表面制作FTO导电玻璃;在所述FTO导电玻璃表面...
贾仁需刘银涛汪钰成庞体强张玉明
基于钙钛矿的光电探测器研究
在光电领域中,无机材料的研究一般成本高,周期长,并且工艺过程复杂;而近些年新发掘的新型光电功能材料钙钛矿(perovskites,PVK)成本低,制备简单,且光电特性优异,其中以甲基氨卤化物CH3NH3MX3(M=Pb,...
刘银涛
关键词:光电探测器零点漂移稳定性能
采用钙钛矿作为光吸收层的N型HEMT器件及其制备方法
本发明涉及一种采用钙钛矿作为光吸收层的N型HEMT器件及其制备方法。该方法包括:选取衬底材料;采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极;在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长电子传输层;采用第二掩膜版在所述电子传输层表...
贾仁需汪钰成庞体强刘银涛张玉明
文献传递
基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/钙钛矿异质结的光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法,包括:选取半绝缘半透明衬底;在所述衬底表面淀积形成底电极;在所述底电极表面淀积Ga<Sub>2</Sub>O<...
贾仁需董林鹏栾苏珍庞体强张玉明汪钰成刘银涛
基于CH&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;NH&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;PbI&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;/PCBM材料的衬底反光增强型HHMT及其制备方法
本发明涉及一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>/PCBM材料的衬底反光增强型HHMT及其制备方法。该方法包括:选取Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
贾仁需刘银涛汪钰成庞体强张玉明
共4页<1234>
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