栾苏珍
- 作品数：33 被引量：22H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 垂直型光电探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法，包括：S1：选取衬底；S2：在所述衬底上生长底电极层；S3：在所述底电极层上生长二硫化钼层；S4：在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层；S5：在所述杂化钙钛矿层上生长顶电极。本发明...
- 贾仁需庞体强栾苏珍张玉明汪钰成刘银涛
- 文献传递
- 纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析
- 随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件的发展。改变器件结构是最有效的解决方法之一。基于SOI技术的新型器件被认为是纳米范围内具有应用前景...
- 栾苏珍
- 关键词：短沟道效应异质栅高K栅介质
- 文献传递
- 一种基于多频点回波信息融合的目标跟踪方法
- 本发明属于雷达技术领域，公开了一种基于多频点回波信息融合的目标跟踪方法，包括：获取k个大帧信号，对其中的每个小帧信号进行处理得到目标信息；获取第l个大帧信号Sig(ｌ)的目指距离mz_dist(ｌ)，根据mz_dist(...
- 曹运合杨英彭志刚栾苏珍周生华
- 文献传递
- 动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价被引量：4
- 2008年
- 实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的高电平时间较短(远远低于电荷的复合时间),隧穿到氧化层的电子很少,同时低电平应力时间内一部分电荷退陷,形成的中性电子陷阱更少.随着应力时间的累积,中性电子陷阱达到某个临界值,栅氧化层突然击穿.高电平时形成的陷阱较少和低电平时一部分电荷退陷,使得器件的寿命提高.
- 栾苏珍刘红侠贾仁需
- 关键词：超薄栅氧化层经时击穿
- 一种改进权值的变结构多模型机动目标跟踪方法
- 本发明属于机动目标跟踪领域，公开了一种改进权值的变结构多模型机动目标跟踪方法，包括：初始化雷达观测值，得到初始状态向量和初始协方差矩阵；选择初始角速度，确定运动模型的状态转移矩阵；进行多模型滤波得到状态估计向量和估计协方...
- 曹运合闫浩栾苏珍彭志刚周生华吴文华
- 文献传递
- 基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/钙钛矿异质结的光电探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法，包括：选取半绝缘半透明衬底；在所述衬底表面淀积形成底电极；在所述底电极表面淀积Ga<Sub>2</Sub>O<...
- 贾仁需董林鹏栾苏珍庞体强张玉明汪钰成刘银涛
- 多晶硅薄膜晶体管
- 本发明公开了一种多晶硅薄膜晶体管。主要解决目前多晶硅薄膜器件性能较差，饱和电压较高的问题。整个器件包括玻璃衬底、栅电极、漏电极和源电极，其中栅电极位于玻璃衬底上方，该栅电极的长度覆盖源电极和源漏之间的沟道长度，以同时控制...
- 刘红侠栾苏珍
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- 异质结阻变存储器及其制备方法
- 本发明涉及一种异质结阻变存储器及其制备方法，该方法包括：制备半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜；利用旋涂工艺在Ga<Sub>2</Sub>O...
- 贾仁需董林鹏栾苏珍庞体强张玉明汪钰成刘银涛
- 文献传递
- 基于高超声速平台的MIMOSAR杂波抑制方法
- 本发明属于雷达技术领域，公开了一种基于高超声平台的MIMO SAR杂波抑制方法，包括：建立MIMO SAR的几何模型；生成各天线通道的波形信号；提取回波信号分量s<Sub>m，n</Sub>(t<Sub>r</Sub>，...
- 曹运合齐晨王宇栾苏珍苏洪涛
- 基于数字阵列天线的通信雷达一体化收发方法
- 本发明属于雷达技术领域，公开了基于数字阵列天线的通信雷达一体化收发方法，能同时满足通信和雷达系统的性能要求，包括：确定数字阵列天线的发射波束权矢量；确定数字阵列雷达的发射信号波形；对恒定模值的OFDM信号添加循环前缀；将...
- 曹运合吴文华张晓波夏香根栾苏珍苏洪涛
