杨勇
- 作品数：17 被引量：11H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计
- 2009年
- 根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参数的吻合情况,改进实际工艺参数和模拟参数的容差系数;分别利用离子注入-扩散法和双离子注入法完成器件工艺制作,提高了的工艺重复性和成品率。采用TCAD技术大大缩短了研制周期、降低了费用。
- 杨勇郝达兵王玉林李智群
- 关键词：计算机辅助设计技术离子注入
- 集成栅极双向保护结构的SiC FET及其制造方法
- 本发明公开了一种集成栅极双向保护结构的SiC FET及其制造方法，SiC FET包括栅极双向保护结构，栅极双向保护结构包括栅极负压保护二极管和栅极正压保护二极管，栅极负压保护二极管阳极为第二导电类型多晶硅阳极，阴极为第一...
- 应贤炜杨勇柏松黄润华宋晓峰薛辰瑞魏朗
- 一种钛镍银三层电极结构的湿法图形化方法
- 本发明公布了一种钛镍银三层电极结构的湿法图形化方法，步骤包括：准备具有钛镍银金属层的衬底，钛位于底层，镍位于中层，银位于顶层；在银金属上表面涂覆光刻胶，并光刻形成掩膜；腐蚀银金属和镍金属，并使腐蚀后的镍金属边缘超出银金属...
- 张宏伟孙西龙孙浩费晨曦栗锐柏松杨勇
- 文献传递
- 一种制备碳化硅MOSFET栅介质层的方法
- 本发明提供一种制备碳化硅MOSFET栅介质层的方法，包括如下步骤：提供SiC基材，并将所述SiC基材放置于ALD反应腔室中；将所述ALD反应腔室升温；采用ALD工艺在所述SiC基材表面依次循环生长SiO2薄膜与Al2O3...
- 王谦柏松费晨曦杨勇
- 文献传递
- 一种金属电极结构的实现方法
- 本发明公开了一种金属电极结构的实现方法，该方法包括：通过金属化方法形成钛铝双层金属，其中钛金属设于底层，位于衬底表面，铝金属设于顶层，位于钛金属表面；涂覆光刻胶，并光刻出掩膜图形；基于单片式湿法喷雾腐蚀系统，使用特定的腐...
- 张宏伟栗锐陈征柏松杨勇费晨曦
- 文献传递
- 一种内置场板的侧壁栅碳化硅功率场效应晶体管及其制造方法
- 本发明公开了一种内置场板的侧壁栅碳化硅功率场效应晶体管及其制造方法，包括：位于第一导电类型外延层内部的第二导电类型深阱区；位于第一导电类型外延层之中且位于第二导电类型深阱区之上的第二导电类型浅阱区；位于第一导电类型外延层...
- 应贤炜杨勇柏松黄润华孙西龙王男王海川宋晓峰
- 一种PIN二极管深台成型方法
- 本发明提供了一种PIN二极管深台成型方法，包括如下步骤：正面蒸铝；第一次光刻；第一次腐蚀；ICP刻蚀；第二次光刻；第二次腐蚀；背面蒸铝；以及各向异性腐蚀，形成正梯形深台结构。本发明通过铝膜掩蔽、二次光刻，以及控制干法刻蚀...
- 汤寅王霄刘洪军杨勇韩宝妮
- 高压大功率碳化硅电力电子器件研制进展被引量：11
- 2021年
- 碳化硅电力电子器件已经成为国内外研究和产业化热点,在一些应用领域正在逐步取代硅基电力电子器件。概述了碳化硅材料和器件的特性,即具有高工作电压、高效率、高工作温度等优势。综述了国际上碳化硅电力电子器件技术的发展现状,其中中低压器件发展已逐渐成熟,高击穿电压器件研究成果展现出由碳化硅材料特性预测的性能优势。展示了宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室在该领域取得的最新技术进展,建立了600~3300 V碳化硅肖特基二极管和MOSFET产品技术,研制出国际先进水平的高压碳化硅MOS-FET和IGBT。
- 柏松李士颜杨晓磊费晨曦刘奥黄润华杨勇
- 关键词：碳化硅电力电子MOSFETIGBT
- 硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法
- 本发明公开了硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法，包括如下步骤：备片、生长复合介质、第一次吕字型槽光刻、刻蚀介质、第二次吕字型槽光刻、ICP刻蚀、各向异性腐蚀、玻璃钝化、光刻玻璃、玻璃腐蚀。本发明通过三层复合介质...
- 汤寅熊威赵杨杨王霄杨勇
- 集成栅极双向保护结构的SiC FET及其制造方法
- 本发明公开了一种集成栅极双向保护结构的SiC FET及其制造方法，SiC FET包括栅极双向保护结构，栅极双向保护结构包括栅极负压保护二极管和栅极正压保护二极管，栅极负压保护二极管阳极为第二导电类型多晶硅阳极，阴极为第一...
- 应贤炜杨勇柏松黄润华宋晓峰薛辰瑞魏朗
