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文献类型

  • 12篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇二极管
  • 6篇梁式引线
  • 3篇电极
  • 3篇电容
  • 3篇电子轰击
  • 3篇钝化层
  • 3篇雪崩
  • 3篇雪崩二极管
  • 3篇势垒
  • 3篇重掺杂
  • 3篇芯片
  • 3篇刻蚀
  • 3篇各向异性腐蚀
  • 3篇半导体
  • 3篇PIN二极管
  • 3篇ALGAAS
  • 2篇导体
  • 2篇低温度系数
  • 2篇微波测试
  • 2篇温度系数

机构

  • 13篇中国电子科技...
  • 4篇南京电子器件...

作者

  • 17篇王霄
  • 5篇顾晓春
  • 5篇杨勇
  • 4篇戴丽英
  • 4篇唐光华
  • 4篇赵文锦
  • 4篇唐家业
  • 4篇汪述猛
  • 4篇徐鹏霄
  • 4篇周剑明
  • 3篇钟伟俊
  • 3篇王旺平
  • 3篇周剑明
  • 2篇刘洪军
  • 2篇张龙
  • 2篇胡永军
  • 2篇李熙华
  • 1篇周海
  • 1篇杨立杰
  • 1篇姚常飞

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 4篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2009
  • 1篇2007
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种PIN二极管深台成型方法
本发明提供了一种PIN二极管深台成型方法,包括如下步骤:正面蒸铝;第一次光刻;第一次腐蚀;ICP刻蚀;第二次光刻;第二次腐蚀;背面蒸铝;以及各向异性腐蚀,形成正梯形深台结构。本发明通过铝膜掩蔽、二次光刻,以及控制干法刻蚀...
汤寅王霄刘洪军杨勇韩宝妮
8mm梁式引线低势垒检波二极管的研制
本文描述了采用低温玻璃结构准平面工艺,设计并实现了一种高灵敏度的梁式引线结构低势垒检波二极管。其正向电压值为(190~260)mV,在9.375GHz的测试频率下,电压灵敏度>15mV/iW,正切灵敏度优于-56dBm。...
王霄周剑明周海钱刚薛爱杰胡永军
关键词:毫米波梁式引线检波电压灵敏度
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硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法
本发明公开了硅基梁式引线肖特基势垒二极管玻璃框架成型方法,包括如下步骤:备片、生长复合介质、第一次吕字型槽光刻、刻蚀介质、第二次吕字型槽光刻、ICP刻蚀、各向异性腐蚀、玻璃钝化、光刻玻璃、玻璃腐蚀。本发明通过三层复合介质...
汤寅熊威赵杨杨王霄杨勇
一种电子轰击型雪崩二极管
本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管,其结构从下到上依次是背面电极,此电极为Ti/Pt/Au电极;衬底,此衬底为n型Si;p型Si外延层;p型Si重掺杂层;正面电极,此电极为Ti/Pt/Au电极;SiO<Sub>2</S...
徐鹏霄王霄周剑明唐家业王旺平戴丽英唐光华赵文锦钟伟俊汪述猛
一种电子轰击型雪崩二极管
本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管,其结构从下到上依次是背面电极,此电极为Ti/Pt/Au电极;衬底,此衬底为n型Si;p型Si外延层;p型Si重掺杂层;正面电极,此电极为Ti/Pt/Au电极;SiO<Sub>2</S...
徐鹏霄王霄周剑明唐家业王旺平戴丽英唐光华赵文锦钟伟俊汪述猛
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一种AlGaAs梁式引线PIN二极管及其制备方法
本发明是一种AlGaAs梁式引线PIN二极管及其制备方法,其特征在于,它是采用P<Sup>+</Sup>-Al<Sub>0.3</Sub>Ga<Sub>0.7</Sub>As/I-GaAs/N<Sup>+</Sup>-G...
李熙华顾晓春王霄
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高电容密度硅基MIS芯片电容
2018年
制备了一种3D结构的硅基金属-绝缘层-半导体(MIS)芯片电容,通过深孔结构增大了电容的有效电极面积,从而极大程度地提升了电容密度,在耐压70V下其电容密度高达20nF/mm2,是传统平面MIS电容的50倍,在-55~150℃内其温度系数小于1%。
汤寅张龙杨党利谭德喜姚伟明王霄周剑明
内串联结构二极管管堆
本发明涉及一种内串联结构二极管管堆,包括金属陶瓷管壳、基板和二极管芯片;其中,基板具有多个独立的金属互联模块,安装在金属陶瓷管壳上,每两个二极管芯片叠层串联构成回路装配在基板上,金属陶瓷管壳内部集成多个独立的回路。优点:...
曹越王霄姜成名蔡静王钊胡永军施传贵顾晓春
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一种AlGaAs梁式引线PIN二极管及其制备方法
本发明是一种AlGaAs梁式引线PIN二极管及其制备方法,其特征在于,它是采用P<Sup>+</Sup>‑Al<Sub>0.3</Sub>Ga<Sub>0.7</Sub>As/I‑GaAs/N<Sup>+</Sup>‑G...
李熙华顾晓春王霄
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一种电子轰击型雪崩二极管
本实用新型公开了一种电子轰击型雪崩二极管,其结构从下到上依次是背面电极,此电极为Ti/Pt/Au电极;衬底,此衬底为n型Si;p型Si外延层;p型Si重掺杂层;正面电极,此电极为Ti/Pt/Au电极;SiO<Sub>2<...
徐鹏霄王霄周剑明唐家业王旺平戴丽英唐光华赵文锦钟伟俊汪述猛
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共2页<12>
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