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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇放大器
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 1篇电路
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇电子束直写
  • 1篇动态电流
  • 1篇在片测试
  • 1篇增强型
  • 1篇迁移率
  • 1篇逻辑电路
  • 1篇脉冲功率
  • 1篇脉冲功率放大...
  • 1篇模块化
  • 1篇模块化仪器
  • 1篇晶体管
  • 1篇宽带
  • 1篇共源共栅
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...

机构

  • 4篇南京电子器件...
  • 1篇东南大学

作者

  • 4篇焦芳
  • 3篇陈金远
  • 1篇李智群
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇钱峰
  • 1篇林罡
  • 1篇吴少兵
  • 1篇张政

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇电子与封装

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2015
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
0.1~6.0 GHz pHEMT达林顿放大器被引量:1
2020年
采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺设计并制造了一款新型达林顿放大器芯片。该达林顿放大器第二级采用了共源共栅结构,引入了负反馈,并采用了有源偏置。在0.1~6.0 GHz范围内,小信号增益大于23dB,平坦度小于±1 dB,驻波小于2,噪声系数小于1.5 dB,输出1 dB压缩点大于21 dBm,输出三阶交调截断点大于34 dBm@1.8 GHz。所设计的共源共栅达林顿放大器具有较好的带宽和一致性等优点,适用于4G、5G通信系统以及雷达收发组件等。
焦芳陈金远
关键词:共源共栅宽带
基于50 nm AlN/GaN异质结的G波段放大器被引量:5
2019年
报道了基于50nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaNHEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1A/mm,最大跨导为700mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率和最大振荡频率分别为180GHz及350GHz。采用该工艺制备的共面波导(CPW)结构的放大器工作电压6V,在162GHz小信号增益大于10dB。166GHz连续波峰值输出功率11.36dBm,功率密度达到684mW/mm,功率密度水平达到GaN器件在G频段的高水平。
张政焦芳吴少兵张凯李忠辉陆海燕陈堂胜
关键词:GAN高电子迁移率晶体管电子束直写功率放大器
GaAs多功能MMIC在片测试系统设计被引量:1
2021年
GaAs多功能MMIC集成度高,数模混合驱动及测试需求考验测试平台的兼容性和稳定性。采用PXI平台模块化测试仪器结合矢量网络分析仪设计多功能MMIC在片测试系统,满足GaAs多功能MMIC的数模混合信号驱动、检测需求,保证测试稳定性。
陈金远焦芳王逸铭林罡
关键词:PXI逻辑电路模块化仪器
一种基于PNA-X的脉冲功率放大器效率快速测试方法被引量:1
2015年
效率是功率放大器的关键参数之一,有着多种成熟的相关测试技术。讨论了几种常见功率放大器效率测试的方法,针对脉冲功率放大器在片生产应用测试技术要求,分析了各测试方法的优缺点,并在综合各测试方法的基础上引出一种新的功率放大器效率测试方法。提出基于PNA-X的脉冲放大器效率快速测试方法,实现脉冲放大器效率的快速测试,实现单次连接测试放大器的S参数、功率参数和效率,实现250个频点的扫描测试耗时不超过15 s,测试结果经过典型器件验证,其测试结果误差不超过2%,该测试方法可适用于功率放大器的在片测试典型应用。
陈金远李智群钱峰焦芳
关键词:动态电流脉冲功率放大器
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