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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇导航
  • 1篇导航系统
  • 1篇低功耗
  • 1篇压控
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇移动通信
  • 1篇移动通信基站
  • 1篇预分频器
  • 1篇噪声
  • 1篇噪声滤波
  • 1篇振荡器
  • 1篇射频
  • 1篇射频开关
  • 1篇通信
  • 1篇通信基站
  • 1篇偏置
  • 1篇频率综合器
  • 1篇品质因数
  • 1篇全集成
  • 1篇自适应偏置

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇专用集成电路...
  • 1篇河北新华北集...

作者

  • 3篇谷江
  • 3篇丁理想
  • 2篇卢东旭
  • 2篇赵永瑞
  • 2篇高博
  • 1篇吴洪江
  • 1篇田国平
  • 1篇耿双利

传媒

  • 3篇半导体技术

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2015
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于导航系统的低功耗全集成频率综合器设计
2015年
针对双模卫星导航接收系统对集成度、功耗和面积的需求,研究了频率综合器的电路结构和频率规划,分析了频率综合器环路的参数设计,实现了片上集成环路滤波器,版图采用MIM和MOS电容堆叠的方式节省了面积,电容电阻采用了加权的方式,使环路带宽可调。采用高速TSPC结构的D触发器构成双模预分频器,降低了整体电路的功耗。利用基于0.18μm RF CMOS工艺实现了低功耗全集成的频率综合器,芯片面积0.88 mm2,功耗18.5 m W,相位噪声-94 d Bc/Hz@100 k Hz,杂散-68 d Bc。测试结果证明了该电路系统参数设计和结构改进是合理和有效的,各参数性能满足系统要求。
卢东旭高博耿双利田国平谷江丁理想赵永瑞
关键词:频率综合器低功耗全集成环路滤波器预分频器
宽带LC压控振荡器的相位噪声优化设计被引量:3
2015年
采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声。采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响。测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96~2.70 GHz的带宽,频偏为100 k Hz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 d Bc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求。
丁理想吴洪江卢东旭谷江赵永瑞
关键词:品质因数噪声滤波宽带
一种用于5G移动通信基站的大功率射频开关被引量:1
2020年
基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关。提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置。采用并联电容补偿技术优化最大输入功率,在长期演进(LTE)9 dB峰均比(PAR)信号输入下,发射通道平均承受功率可达20 W。在3.5 GHz芯片发射通道的插入损耗为0.49 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为47 dBm,隔离度为38 dB。在3.5 GHz芯片接收通道的插入损耗为0.43 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为31 dBm,隔离度为38 dB。该射频开关芯片适用于5G移动通信LTE基站。
谷江谷江高博丁理想李沛鸣
关键词:射频开关基站
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