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集成L波段VCO的频率合成器设计: 2014年; 从频率合成器的构成和噪声模型入手,分析了主要单元电路对噪声的贡献,进而研究了各频率合成器模块中的噪声影响因子,建立了不同模块的噪声模型,并在模型基础上改进了压控振荡器的电流源结构及鉴相器的延时单元电路,从而提高了频率合成器的噪声性能。根据上述方法,采用0.18μm射频CMOS工艺设计实现了一款低功耗、低噪声的频率合成器,经测试,核心电压1.8 V,功耗54 m W,带内噪声达到了-98 d Bc/Hz。测试结果表明噪声指标达到了国外同类产品水平,为设计和研发高集成度的射频收发系统芯片提供了很好的参考。; 卢东旭高博吴洁田国平; 关键词：频率合成器鉴相器电荷泵

一种700MHz频段的高线性驱动放大器MMIC: 2021年; 采用GaAs PHEMT工艺,设计了一种700 MHz频段的高线性驱动放大器MMIC。该放大器内部集成了带通复合匹配网络结构的宽带输入匹配电路,通过两种幅频特性相反的匹配网络进行组合,有效地拓展了应用带宽,提高了线性度和增益平坦度。放大电路采用两级放大结构,保证增益指标,引入稳定性设计以保证放大器工作的稳定性。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构,提高了驱动能力,使电路更加稳定。该放大器集成输出检波器,采用二极管检波器结构实现功率检波,具有结构简单、占用芯片面积小的优点。该放大器典型频点700 MHz处的输出三阶交调点为42.6 dBm,1 dB压缩点输出功率为27.6 dBm。通过调整片外输出匹配电路可满足700 MHz及其他频段的应用需求。; 张欢张昭阳张晓朋高博; 关键词：驱动放大器高线性宽带匹配 MMIC

一种用于卫星导航的超低噪声放大器被引量：2: 2020年; 采用增强型GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款具有超低噪声系数、低功耗的放大器芯片。采用电流复用型共源结构,源极加入负反馈电感,输入级采用低损耗的片外匹配结构,降低了噪声系数,提高了增益。采用有源偏置电路,提高了芯片电流一致性。设计过程中对封装管壳、键合丝等建模仿真,增益、噪声等测试结果与仿真结果基本一致。该芯片采用4.0 mm×4.0 mm×0.8 mm扁平无引线封装,芯片直流功耗仅为36 mW,在卫星导航工作频段内增益大于30 dB,噪声系数小于0.55 dB。该芯片具有噪声性能好、功耗低、增益高等优点,可以用于各类GPS和卫星导航终端。; 张晓朋高博高博李朋; 关键词：低噪声放大器卫星导航低功耗

0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器被引量：6: 2020年; 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有源偏置结构相比,引入一个负反馈系统,提高了驱动能力,使电路更加稳定。电路采用+5 V电源供电,静态工作电流为130 mA。该放大器在860~960 MHz、2.1~2.2 GHz和2.3~2.7 GHz性能良好,在2.6 GHz处的小信号增益为14.3 dB,1 dB压缩点输出功率(Po(1 dB))为28.4 dBm,Po(1 dB)处的功率附加效率为41.6%,输出三阶交调点为37.5 dBm。采用片外匹配,不仅节省芯片面积,还可以通过调整输入和输出匹配网络,满足5G基站等移动通信系统不同频段的应用需求。; 张欢张昭阳张晓朋高博; 关键词：驱动放大器高线性

一种低插入损耗高隔离度射频开关的设计被引量：1: 2020年; 基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并制作了一款50Ω吸收式单刀双掷射频开关。开关电路由两个对称的射频传输通道组成,在500 kHz^8 GHz频率内具备优异的隔离度及插入损耗性能。采用两级开关结构用于提高隔离度,并通过将电源管理电路的晶体管偏置在亚阈值区域以达到超低的功耗。测试结果表明,在6 GHz频点的插入损耗为0.55 dB,隔离度为53 dB,反射系数为-15 dB,0.1 dB压缩点的输入功率为33 dBm,而功耗不足300μW。该RF开关电路非常适用于4G/5G无线基础设施、卫星通信终端设备以及其他高性能射频应用系统。; 谷江谷江高博张晓朋; 关键词：射频开关隔离度插入损耗

26GHz波段毫米波放大器空气腔型封装设计: 2020年; 针对毫米波频段放大器芯片,提出了一种基于有机封装基板和液晶聚合物盖帽的空气腔型封装结构,解决了塑封器件在毫米波频段阻抗失配、插入损耗大和热阻高等问题,且降低了封装成本。通过电磁场仿真,优化了封装管脚在毫米波频段的阻抗特性,降低了射频管脚的阻抗失配,优化了芯片焊盘与封装基板之间的键合方案,降低了封装整体的插入损耗。采用条状通孔和基板减薄方法,降低了封装结构的热阻。在24~30 GHz,封装芯片小信号增益达到21 dB,饱和输出功率达到26 dBm。与裸芯片相比,封装芯片的饱和输出功率仅损失了1 dB。芯片封装后的整体热阻为28℃/W,满足芯片可靠性应用的需求。; 张晓朋吴兰高博高博崔培水谷江; 关键词：液晶聚合物

RC滤波器数字调谐电路: 本发明公开了一种RC滤波器数字调谐电路，涉及阻抗网络技术领域。所述调谐电路包括产生周期性数字波形的积分器电路和窗口比较器电路，所述积分器电路包括PMOS管M<Sub>1</Sub>‑M<Sub>4</Sub>、NMOS管...; 高博叶向阳张在涌曲韩宾耿双利卢东旭左玉多; 文献传递

电流复用型前馈补偿全差分运算放大器: 本实用新型公开了一种电流复用型前馈补偿全差分运算放大器，属于全差分运算放大器技术领域，它包括第一增益级、第二增益级、前馈级和共模反馈电路，其中前馈级与第二增益级互为负载且电流复用，本实用新型能够显著地降低整个运放的功耗，...; 王帅叶向阳高博曲韩宾吴兰; 文献传递

电流复用型前馈补偿全差分运算放大器: 本发明公开了一种电流复用型前馈补偿全差分运算放大器，属于全差分运算放大器技术领域，它包括第一增益级、第二增益级、前馈级和共模反馈电路，其中前馈级与第二增益级互为负载且电流复用，本发明能够显著地降低整个运放的功耗，同时实现...; 王帅叶向阳高博曲韩宾吴兰; 文献传递

电流复用型前馈补偿全差分运算放大器: 本发明公开了一种电流复用型前馈补偿全差分运算放大器，属于全差分运算放大器技术领域，它包括第一增益级、第二增益级、前馈级和共模反馈电路，其中前馈级与第二增益级互为负载且电流复用，本发明能够显著地降低整个运放的功耗，同时实现...; 王帅叶向阳高博曲韩宾吴兰; 文献传递

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