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周桂丽

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:华越微电子有限公司更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇上浮
  • 1篇失效模式
  • 1篇势垒
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇埋层
  • 1篇溅射
  • 1篇硅衬底
  • 1篇二极管
  • 1篇P阱
  • 1篇VDMOS
  • 1篇
  • 1篇IC
  • 1篇衬底
  • 1篇N

机构

  • 3篇华越微电子有...

作者

  • 3篇周桂丽
  • 2篇周卫宏
  • 1篇潘国刚
  • 1篇何火军
  • 1篇余庆
  • 1篇张晓新

传媒

  • 2篇电子质量

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
IC外延电阻相似失效案例的比较与分析
2013年
该文通过分析外延层外延电阻率变化,场注入偏浓和埋层上浮三个IC制品生产线最常见的典型案例,比较明确三者之间的异同,了解和认识PCM相关参数的变化情况。同时也记录不同失效类型,并予以归类。
周桂丽赵铝虎周卫宏
VDMOS参数一种新失效模式的调查与分析
2013年
该文通过详细记录一种新的VDMOS失效模式,按调查过程,层层抽丝剥茧,从JEFT注入到N阱形成,通过对比几个相近失效模式,最后找出造成失效的真正原因,并对失效模式进行分析。
周桂丽
关键词:P阱
一种肖特基接触二极管中的钛金属层
本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层,所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层,所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层;所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。本实用...
潘国刚周卫宏张晓新余庆赵铝虎鄢细根周桂丽秦永星傅劲松何火军
文献传递
共1页<1>
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