周桂丽
- 作品数:3 被引量:0H指数:0
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- IC外延电阻相似失效案例的比较与分析
- 2013年
- 该文通过分析外延层外延电阻率变化,场注入偏浓和埋层上浮三个IC制品生产线最常见的典型案例,比较明确三者之间的异同,了解和认识PCM相关参数的变化情况。同时也记录不同失效类型,并予以归类。
- 周桂丽赵铝虎周卫宏
- VDMOS参数一种新失效模式的调查与分析
- 2013年
- 该文通过详细记录一种新的VDMOS失效模式,按调查过程,层层抽丝剥茧,从JEFT注入到N阱形成,通过对比几个相近失效模式,最后找出造成失效的真正原因,并对失效模式进行分析。
- 周桂丽
- 关键词:P阱
- 一种肖特基接触二极管中的钛金属层
- 本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层,所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层,所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层;所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。本实用...
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- 文献传递