潘国刚
- 作品数：15 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华越微电子有限公司更多>>
- 发文基金：浙江省科技厅国际合作项目绍兴市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺
- 本发明公开了一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）外延材料高温炉管进行反推作业，温度1200—1250度，时间为60分钟；2）漂尽反推形成的厚氧，重新生长厚场氧，保护环光刻、刻蚀、环杂...
- 鄢细根张晓新余庆何火军潘国刚周卫宏赵铝虎张敏森陈晓静阚志国
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- 中低压大电流VDMOS器件
- 何火军余庆廖洪志张晓新张月中朱优莉朱国夫杨振江秉润潘国刚秦永星蔡远飞赵铝虎郦霞鄢细根马洁荪
- 简要技术说明该项目产品中，50N06采用外延自掺杂技术，具有导通电阻低，输出电流大特点；20N50采用第二代SPACE新工艺，平底阱结构以及浅P+结构，改善了EAS能力，降低了导通电阻，提高了元胞集成度；9N90采用JF...
- 关键词：
- 关键词：分立器件半导体器件
- 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺
- 本发明公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺，属于集成电路设计/制造领域，所述生产工艺依次包括N+埋层形成、下隔离区形成、外延层形成、磷桥区形成、上隔离区形成和沟槽形成等步骤，采用上述生产工艺制得的基于沟...
- 鄢细根杨振张晓新朱国夫余庆廖洪志赵铝虎潘国刚黄少南
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- 一种肖特基二极管划片区氧化层
- 本实用新型公开了一种肖特基二极管划片区氧化层，所述的肖特基二极管划片区包括背面金属层，所述的背面金属层上依次设有N<Sup>+</Sup>衬底层、N<Sup>_</Sup>外延层、势垒层、氧化层和正面金属层，且所述的势垒...
- 何火军张晓新鄢细根赵铝虎阚志国潘国刚周卫宏张敏森傅劲松
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- 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
- 本实用新型公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，属于集成电路设计/制造领域，包括硅衬底，以及依次生长在硅衬底上的埋层、外延层和绝缘层，其中，所述外延层上设有基区、上隔离区、下隔离区和磷桥区，基区的外侧环绕设有基区沟...
- 鄢细根杨振张晓新朱国夫余庆廖洪志赵铝虎潘国刚黄少南
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- 全固态高压LED驱动电路
- 本实用新型公开一种全固态高压LED驱动电路，属于LED灯具领域。包括依次相连的双向TVS管、整流桥和恒流驱动电路，其中，所述双向TVS管的输入端与市电输入的L、N端相连，所述恒流驱动电路包括2个或2个以上成对的相互并联的...
- 廖洪志杨振吕愉赵铝虎潘国刚黄少南
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- 硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响
- 2019年
- 通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明,硅单晶片中的氧含量对产品成品率具有重要影响。当氧含量在1.77×1018～1.87×1018atoms/cm3及以上时,硅单晶片边缘出现明显的位错排,断面存在大量层错和位错缺陷,部分缺陷进入外延层中的晶体管,造成该处晶体管结漏电。相反,当氧含量偏低时,硅单晶片内的缺陷较少且分布不均,使得硅单晶片受到金属污染时不能有效吸杂而产生失效。
- 潘国刚胡玮芳何火军
- 关键词：硅单晶氧含量氧沉淀功率集成电路
- 一种P沟道VDMOS器件生产方法
- 本发明公开一种P沟道VDMOS器件生产方法，包括在外延层上生成氧化层，在氧化层上覆盖光刻胶层，然后带胶N型杂质注入步骤；高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深步骤；在氧化层上进行硼杂质注入步骤；在外延层上生成栅...
- 鄢细根何火军杨振赵铝虎潘国刚
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- 一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法
- 本发明公开了一种用于半导体集成电路或者分立器件上的溅射前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1）当半导体器件在完成引线孔刻蚀后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；2)冲水处理；3）接着...
- 潘国刚张晓新余庆赵铝虎周卫宏何火军傅劲松鄢细根张敏森
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- 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺
- 本发明公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺，属于集成电路设计/制造领域，所述生产工艺依次包括N+埋层形成、下隔离区形成、外延层形成、磷桥区形成、上隔离区形成和沟槽形成等步骤，采用上述生产工艺制得的基于沟...
- 鄢细根杨振张晓新朱国夫余庆廖洪志赵铝虎潘国刚黄少南
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