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杨振

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：华越微电子有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 4篇集成电路
  • 3篇桥区
  • 3篇介质隔离
  • 3篇沟槽
  • 3篇VDMOS器...
  • 2篇电路设计
  • 2篇电路芯片
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇生产工艺
  • 2篇退火
  • 2篇芯片
  • 2篇结深
  • 2篇集成电路设计
  • 2篇集成电路芯片
  • 2篇沟道
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻版

机构

  • 8篇华越微电子有...

作者

  • 8篇杨振
  • 7篇潘国刚
  • 4篇余庆
  • 4篇张晓新
  • 4篇黄少南
  • 3篇何火军
  • 1篇张月中
  • 1篇郦霞
  • 1篇吕愉

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种P沟道VDMOS器件生产方法
本发明公开一种P沟道VDMOS器件生产方法，包括在外延层上生成氧化层，在氧化层上覆盖光刻胶层，然后带胶N型杂质注入步骤；高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深步骤；在氧化层上进行硼杂质注入步骤；在外延层上生成栅...
鄢细根何火军杨振赵铝虎潘国刚
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中低压大电流VDMOS器件
何火军余庆廖洪志张晓新张月中朱优莉朱国夫杨振江秉润潘国刚秦永星蔡远飞赵铝虎郦霞鄢细根马洁荪
简要技术说明该项目产品中，50N06采用外延自掺杂技术，具有导通电阻低，输出电流大特点；20N50采用第二代SPACE新工艺，平底阱结构以及浅P+结构，改善了EAS能力，降低了导通电阻，提高了元胞集成度；9N90采用JF...
关键词：
关键词：分立器件半导体器件
一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
本实用新型公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，属于集成电路设计/制造领域，包括硅衬底，以及依次生长在硅衬底上的埋层、外延层和绝缘层，其中，所述外延层上设有基区、上隔离区、下隔离区和磷桥区，基区的外侧环绕设有基区沟...
鄢细根杨振张晓新朱国夫余庆廖洪志赵铝虎潘国刚黄少南
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全固态高压LED驱动电路
本实用新型公开一种全固态高压LED驱动电路，属于LED灯具领域。包括依次相连的双向TVS管、整流桥和恒流驱动电路，其中，所述双向TVS管的输入端与市电输入的L、N端相连，所述恒流驱动电路包括2个或2个以上成对的相互并联的...
廖洪志杨振吕愉赵铝虎潘国刚黄少南
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一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺
本发明公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺，属于集成电路设计/制造领域，所述生产工艺依次包括N+埋层形成、下隔离区形成、外延层形成、磷桥区形成、上隔离区形成和沟槽形成等步骤，采用上述生产工艺制得的基于沟...
鄢细根杨振张晓新朱国夫余庆廖洪志赵铝虎潘国刚黄少南
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一种P沟道VDMOS器件生产方法
本发明公开一种P沟道VDMOS器件生产方法，包括在外延层上生成氧化层，在氧化层上覆盖光刻胶层，然后带胶N型杂质注入步骤；高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深步骤；在氧化层上进行硼杂质注入步骤；在外延层上生成栅...
鄢细根何火军杨振赵铝虎潘国刚
一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺
本发明公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺，属于集成电路设计/制造领域，所述生产工艺依次包括N+埋层形成、下隔离区形成、外延层形成、磷桥区形成、上隔离区形成和沟槽形成等步骤，采用上述生产工艺制得的基于沟...
鄢细根杨振张晓新朱国夫余庆廖洪志赵铝虎潘国刚黄少南
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一种应用于照明LED驱动的线性恒流集成电路
本实用新型涉及一种应用于照明LED驱动的线性恒流集成电路，包括基准恒流源芯片、MOSFET芯片、塑封体和引出端子，基准恒流源芯片和MOSFET芯片共同封装于同一个塑封体内，基准恒流源芯片的IN端与MOSFET芯片的源极连...
马忠伟王学军杨振廖洪志
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