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宋玲玲

作品数:5 被引量:5H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司更多>>
发文基金:吉林省青年科研基金吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 1篇电路工艺
  • 1篇延迟线
  • 1篇氧化硅
  • 1篇阵列
  • 1篇乳胶
  • 1篇硼扩散
  • 1篇漂移
  • 1篇漂移区
  • 1篇自对准
  • 1篇线阵
  • 1篇线阵列
  • 1篇模拟软件
  • 1篇结深
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路工艺
  • 1篇交叉型
  • 1篇高压CMOS
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇方阻

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国人民解放...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 5篇宋玲玲
  • 2篇刘剑
  • 1篇郭常厚
  • 1篇衣云骥
  • 1篇王菲
  • 1篇张大明
  • 1篇李亮
  • 1篇王焕然
  • 1篇李浩
  • 1篇马洪江
  • 1篇张立钧

传媒

  • 4篇微处理机
  • 1篇中国光学

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
集成电路工艺外延图形漂移剖析被引量:1
2015年
外延结构的生长特性决定了埋层图形在外延层上漂移的现象,这种现象会给工艺带来危害,导致产品失效。在实际工艺中,通常是通过一定的校正原则来抵消埋层漂移的影响。另外,最后还给出了隔离击穿电压的测试分析方法。
宋玲玲李浩王利斌
关键词:漂移
模拟软件在基区方阻实验中的应用
2014年
随着IC工艺和器件物理研究的进展以及计算机技术的发展成熟,集成电路模拟软件的功能和应用也同步扩展。目前国内大型生产线上几乎均采用了同类软件,主要用于工艺建模、优化工艺流程,一旦模拟与实验拟合较好,建立模型库,将极大的节省实验所需时间、人力和物料。主要采用的是Sentaurus TCAD软件模拟了TTL工艺的基区注入后扩散情况,模拟结果与实验结果非常接近,该结果已经多次应用在产品的研制生产中。
宋玲玲刘剑李浩
关键词:结深方阻
高压CMOS电路的设计及制造工艺研究
2007年
介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂漏区以形成漂移区等提高MOS晶体管击穿电压的一系列技术措施,使MOS晶体管的源漏击穿电压提高至35V以上,电路在24V电压下可以正常工作。
郭常厚马洪江宋玲玲
关键词:高压CMOS漂移区
乳胶源硼扩散的SENTAURUS模拟
2014年
利用半导体TCAD工具Sentaurus对硅片的乳胶源掺硼扩散工艺进行模拟,用淀积后的退火处理过程替代注入后退火的模拟方案,以多种实测条件为标准,用两种条件进行模拟,并结合实测数据,对模型结果进行比较,找到模拟的最终可行方案,弥补Sentaurus软件功能模块上的不足。
刘剑宋玲玲
4通道交叉型二氧化硅光波导延迟线阵列的设计与制备被引量:4
2014年
设计并制备了一种高集成度、低成本、低损耗4通道交叉型二氧化硅光波导延迟线阵列。利用BPM软件对交叉结构光波导延迟线的Y分支的损耗、弯曲损耗进行数值模拟。综合考虑器件尺寸和损耗参数,设计交叉型延迟线结构的弯曲半径最小为1 500μm,引入优化的锥口Y分支结构和垂直相交波导结构。采用标准半导体制作工艺制备器件,测试得到了器件的红外输出光斑,延迟线延迟时间分别为0、113、226和339 ps。4通道二氧化硅延迟线阵列能实现相邻通道相等的延迟时间间隔,且可通过集成实现延迟时间的增加,同时输出端可以与光纤阵列集成。
李浩宋玲玲张立钧王焕然李亮王菲衣云骥张大明
关键词:二氧化硅
共1页<1>
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