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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇反熔丝
  • 3篇MTM
  • 2篇编程
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇可靠性
  • 1篇沟槽
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道效应
  • 1篇辐照
  • 1篇高可靠
  • 1篇高可靠性
  • 1篇OTP
  • 1篇STI
  • 1篇BACK
  • 1篇NITRID...
  • 1篇PULL

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇徐海铭
  • 2篇郑若成
  • 2篇洪根深
  • 2篇王印权
  • 2篇顾祥
  • 1篇吴建伟
  • 1篇陈海波
  • 1篇吴素贞

传媒

  • 4篇电子与封装

年份

  • 4篇2017
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
MTM反熔丝单元的辐照特性研究被引量:2
2017年
对MTM反熔丝单元的总剂量辐照特性进行了研究,对未编程和编程后两种状态的反熔丝单元在不同电压偏置条件下进行总剂量辐照(Co^(60)-γ射线),辐照总剂量为2 Mrad(Si)。辐照试验结果显示,未编程状态下的MTM反熔丝单元的电压-电流特性曲线基本保持不变,漏电流变化率小于10%。编程后反熔丝单元的电阻特性保持不变,并且编程电阻大小对辐照试验结果无显著影响。试验结果表明,MTM反熔丝单元的抗总剂量(Co^(60)-γ射线)辐照能力达到2 Mrad(Si)以上。
王印权郑若成徐海铭吴素贞洪根深
关键词:MTM反熔丝总剂量效应
一种使沟槽侧角圆滑的新颖STI工艺
2017年
介绍了一种使沟槽侧角圆滑的STI工艺技术,该技术在沟槽腐蚀完,通过湿法工艺去除部分氮化硅(Nitride Pull back),再正常生长线性氧化层,使槽的侧角更加圆润光滑,同时减小了沟槽Divot深度。该工艺避免了附加高温热过程所导致的缺陷扩散和膜应力增大问题,现已成功应用于0.13μm逻辑工艺。采用该工艺完成的器件,反窄沟道效应明显减弱,窄沟器件的漏电有效降低。
顾祥徐海铭陈海波吴建伟
关键词:STINITRIDEPULLBACK
应用于OTP单元的高可靠性MTM反熔丝特性被引量:2
2017年
主要研究了一种新型MTM反熔丝结构的电特性,未编程反熔丝漏电和击穿以及编程特性,有助于电路的编程电流设计,也为反熔丝击穿和漏电的标准制定提供参考。该研究对电极和温度特性的应用也有十分重要的意义。
徐海铭王印权郑若成洪根深
关键词:反熔丝编程OTPMTM
编程MTM反熔丝的特征电压研究被引量:1
2017年
研究了不同MTM反熔丝材料的特征电压,发现特征电压不受电极材料影响而变化。电热模型理论在硅极反熔丝编程模型中得到进一步诠释和扩展,其中MTM反熔丝编程电阻与编程电流的关系也符合魏德曼-费尔兹定律。
徐海铭顾祥
关键词:反熔丝编程MTM
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