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王志强

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：哈尔滨理工大学应用科学学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇亚胺
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米SIO2
  • 1篇耐电晕
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇SIO

机构

  • 1篇哈尔滨理工大...

作者

  • 1篇夏旭
  • 1篇殷景华
  • 1篇王志强
  • 1篇姚磊
  • 1篇李佳龙

传媒

  • 1篇绝缘材料

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
三明治结构聚酰亚胺/SiO_2纳米复合薄膜电学性能研究被引量：5
2017年
采用原位聚合法制备了三明治结构的Si O_2纳米掺杂聚酰亚胺(PI)复合薄膜Si O_2-PI/PI/Si O_2-PI。利用透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)表征Si O_2纳米颗粒的分散状态及三层复合薄膜的断面结构,研究三层结构复合薄膜的介电性能、电导率、耐电晕性能和电气强度等电学性能。结果表明:Si O_2纳米颗粒可均匀地分散于聚酰亚胺基体中,三层复合薄膜具有清晰的界面分层;当Si O_2纳米颗粒掺杂量为20%时,三层复合薄膜的耐电晕老化时间最长,分别为纯PI和单层PI/Si O_2复合薄膜的26倍和2倍;当Si O_2纳米颗粒掺杂量为15%时,三层复合薄膜的电气强度达到最大值(280.6 k V/mm)。
王志强殷景华夏旭姚磊李佳龙
关键词：聚酰亚胺纳米SIO2耐电晕介电性能
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