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赵志国

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国国防科技信息中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇低压化学气相...
  • 1篇淀积
  • 1篇沾污
  • 1篇铁离子
  • 1篇气相淀积
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇表面光电压

机构

  • 1篇重庆光电技术...
  • 1篇中国国防科技...

作者

  • 1篇李仁豪
  • 1篇廖乃镘
  • 1篇赵志国
  • 1篇向华兵
  • 1篇阙蔺兰
  • 1篇李贝

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
2015年
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施,氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。
廖乃镘赵志国阙蔺兰向华兵李贝李仁豪
关键词：氮化硅低压化学气相淀积表面光电压
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