梁萌
- 作品数：6 被引量：32H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：北京市科委科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- LCD用LED背光中的取代滤色膜技术
- 2008年
- LED背光模组是LCD显示器件的重要部件之一,相比传统的冷阴极管CCFL背光,LED背光使液晶显示有较好的显示画质。采用一种将红绿色荧光粉按比例混合,在450nm左右蓝光激发下生成RGB三基色,从而获得白光LED。为了获得高质量的背光显示,采用多种荧光粉合成比例进行实验,最终通过比较形成的荧光粉膜层,用蓝光LED背光源激发以便获得较好的色彩显示、色温区域以及较高的能量转换效率。此种背光结构有益于LED组合的出光均匀性,同时可以简化LED背光结构。
- 范曼宁梁萌王国宏
- 关键词：荧光粉液晶显示器
- 表面处理对p-GaN欧姆接触的影响被引量：5
- 2007年
- 分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面O1s的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH4)2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.
- 郭德博梁萌范曼宁师宏伟刘志强王国宏王良臣
- 关键词：GAN欧姆接触
- AlGaInP/Si的键合研究
- 2007年
- 金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面未见不良影响,截面的显微照片表明键合质量良好.反射谱测试表明键合合金层可以作为反射器,这一特征是AlGaInP发光器件与Si集成的有利条件.
- 郭德博梁萌范曼宁刘志强王良臣王国宏
- 关键词：键合ALGAINPI-V特性
- 两步合金法制作p-GaN高反电极
- 2008年
- 利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地防止Ag的氧化和团聚,短时间的热处理有助于Ag基电极反射率的提高。可靠性测试表明Ag基电极的稳定性较好,对于Al基电极,热处理后反射镜上出现暗斑,导致其反射率的下降。最终获得了波长在460nm处反射率为74%的Ag基高反射电极。
- 郭德博梁萌范曼宁刘志强王良臣王国宏
- 关键词：P型GAN欧姆接触
- GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长被引量：2
- 2011年
- 本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%—30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率.
- 王兵李志聪姚然梁萌闫发旺王国宏
- 关键词：LEDAL组分电子阻挡层
- LCD-TV用直下式LED背光源的光学设计被引量：25
- 2007年
- 三基色LED背光源是成就高品质液晶显示器的关键技术之一,其色域是传统CCFL背光源的150%以上。其中直下式背光源具有结构简单、光利用率高的特点,是目前大尺寸液晶显示背光源的首选,但是由于没有导光板,直下式背光源的光均匀性变得较差。通过对LED光场分布的模拟和分析,得出了一种新型LED光场分布设计,对由此光场分布的三基色LED组成的66cm(26in)背光源模拟表明,该背光源在未加扩散膜前,灯箱厚度为20～28mm时,亮度均匀度大于83%,ΔU′V′值在0.01左右;加上扩散膜之后,灯箱厚度为20mm时,均匀度可达到89.58%,ΔU′V′值达到0.0041。
- 梁萌王国宏范曼宁郭德博刘广义马龙王良臣李晋闽
- 关键词：背光源LED均匀度
