郭德博
- 作品数：10 被引量：32H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：北京市科委科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- AlGaInP基发光二极管
- 一种AlGaInP基发光二极管，其特征在于，包括：一反射器；一n型下限制层，该n型下限制层制作在反射器之上，提供载流子限制作用；一有源层，该有源层生长在n型下限制层之上；一p型上限制层，该p型上限制层制作在有源层之上，提...
- 郭德博王国宏梁萌范曼宁
- 文献传递
- 倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的粗化技术被引量：2
- 2007年
- 通过模拟计算,分析了阵列微透镜粗化对倒装结构GaN基LED提取效率的影响.并采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化.测试结果表明,相对于普通倒装结构,阵列微透镜表面粗化可以使LED提取效率提高约50%,测试结果与模拟计算值相符合.
- 刘志强王良臣伊晓燕王立彬陈宇郭德博马龙
- 关键词：GAN基LEDICP粗化
- 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
- 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构，包括：一蓝宝石衬底；一N－GaN层制作在蓝宝石衬底上，该N－GaN层上面的一侧形成有一台阶；一有源层制作在N－GaN层上的最上面；一P－GaN层制作在有源层上；一Ru/Ni层制作在P－G...
- 王立彬伊晓燕刘志强陈宇郭德博王良臣
- 文献传递
- 表面处理对p-GaN欧姆接触的影响被引量：5
- 2007年
- 分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面O1s的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH4)2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.
- 郭德博梁萌范曼宁师宏伟刘志强王国宏王良臣
- 关键词：GAN欧姆接触
- AlGaInP/Si的键合研究
- 键合技术是大失配异质材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.本文以金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面没...
- 郭德博梁萌范曼宁刘志强王良臣王国宏
- 关键词：ALGAINPI-V特性键合技术
- 文献传递
- LCD-TV用直下式LED背光源的光学设计被引量：25
- 2007年
- 三基色LED背光源是成就高品质液晶显示器的关键技术之一,其色域是传统CCFL背光源的150%以上。其中直下式背光源具有结构简单、光利用率高的特点,是目前大尺寸液晶显示背光源的首选,但是由于没有导光板,直下式背光源的光均匀性变得较差。通过对LED光场分布的模拟和分析,得出了一种新型LED光场分布设计,对由此光场分布的三基色LED组成的66cm(26in)背光源模拟表明,该背光源在未加扩散膜前,灯箱厚度为20～28mm时,亮度均匀度大于83%,ΔU′V′值在0.01左右;加上扩散膜之后,灯箱厚度为20mm时,均匀度可达到89.58%,ΔU′V′值达到0.0041。
- 梁萌王国宏范曼宁郭德博刘广义马龙王良臣李晋闽
- 关键词：背光源LED均匀度
- LED照明的LCD背光源结构
- 本发明一种LED照明的LCD背光源结构，包括：一支架，该支架是一个底面连着散热板的顶端具开口的盒体，盒体内侧壁和内底面均为反射面；一二维排布的单色LED阵列，该单色LED阵列制作在支架上，排布在支架内底面上；一扩散板，该...
- 梁萌王国宏范曼宁郭德博
- 文献传递
- 两步合金法制作p-GaN高反电极
- 2008年
- 利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地防止Ag的氧化和团聚,短时间的热处理有助于Ag基电极反射率的提高。可靠性测试表明Ag基电极的稳定性较好,对于Al基电极,热处理后反射镜上出现暗斑,导致其反射率的下降。最终获得了波长在460nm处反射率为74%的Ag基高反射电极。
- 郭德博梁萌范曼宁刘志强王良臣王国宏
- 关键词：P型GAN欧姆接触
- AlGaInP/Si的键合研究
- 2007年
- 金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面未见不良影响,截面的显微照片表明键合质量良好.反射谱测试表明键合合金层可以作为反射器,这一特征是AlGaInP发光器件与Si集成的有利条件.
- 郭德博梁萌范曼宁刘志强王良臣王国宏
- 关键词：键合ALGAINPI-V特性
- 倒装GaN基LED阵列微透镜粗化技术研究
- 通过感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化,并研究了阵列微透镜粗化对GaN基LED性能的影响.测试结果表明,相对于普通倒装结构,阵列微透镜表面粗化可以使LED...
- 刘志强王良臣伊晓燕王立彬陈宇郭德博马龙
- 关键词：GAN基LED干法刻蚀表面粗化
- 文献传递
