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一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘: 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是，本发明的技术方案要点是，一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘，它包括固结磨料层、联接层、金属基体层，固结磨料层按照重量百分比含量包括：...; 苏建修庞子瑞马利杰付素芳姚建国郑秋白刘志响张竹青; 文献传递

基于游离磨粒的化学机械抛光材料去除非均匀性形成机制(英文)被引量：4: 2012年; 本文主要研究硬脆晶体材料化学机械抛光中基片内材料去除非均匀性的形成机理.首先分析了化学机械抛光时抛光机的运动参数对硅片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性、接触压力分布非均匀性及磨粒运动轨迹密度分布非均匀性的影响规律.然后通过基片内材料去除非均匀性实验,得出了抛光机运动参数对基片表面材料去除非均匀性的影响.通过比较理论分析与实验结果,基片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性及接触压力分布非均匀性随转速的变化趋势与基片表面材料去除非均匀性的实验结果相差较大,只有磨粒在基片表面上的运动轨迹分布非均匀性与基片表面材料去除非均匀性的实验结果趋势相同.研究结果表明,基片表面材料去除非均匀性是由磨粒在基片表面上的运动轨迹分布非均匀性造成的,充分说明了基片表面材料去除的机械作用主要是磨粒的机械作用.; 苏建修张学铭刘幸龙刘志响张竹青; 关键词：化学机械抛光材料去除机理材料去除率非均匀性磨粒

一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘: 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是，本发明的技术方案要点是，一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘，它包括固结磨料层、联接层、金属基体层，固结磨料层按照重量百分比含量包括：...; 苏建修庞子瑞马利杰付素芳姚建国郑秋白刘志响张竹青; 文献传递

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刘志响