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张竹青

作品数:6 被引量:6H指数:2
供职机构:河南工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇研磨盘
  • 2篇接层
  • 2篇结合剂
  • 2篇金属
  • 2篇金属基
  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇化学机械研磨
  • 2篇机械抛光
  • 2篇复合材料
  • 2篇材料去除率
  • 2篇复合材
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇性能研究
  • 1篇乙烯
  • 1篇英文
  • 1篇预浸
  • 1篇预浸带
  • 1篇树脂
  • 1篇水性

机构

  • 4篇河南工业大学
  • 3篇河南科技学院
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇河南理工大学

作者

  • 6篇张竹青
  • 3篇苏建修
  • 3篇刘志响
  • 2篇郑秋白
  • 2篇庞子瑞
  • 2篇付素芳
  • 2篇姚建国
  • 2篇马利杰
  • 2篇吴海宏
  • 1篇张学铭
  • 1篇刘幸龙

传媒

  • 1篇纳米技术与精...
  • 1篇复合材料科学...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是,本发明的技术方案要点是,一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘,它包括固结磨料层、联接层、金属基体层,固结磨料层按照重量百分比含量包括:...
苏建修庞子瑞马利杰付素芳姚建国郑秋白刘志响张竹青
文献传递
超薄热塑性复合材料人形杆制备及其性能研究
2023年
薄层预浸料复合材料结构具有良好的弹性应变能调控、存储特性,在可展开、折叠结构,如空间可展开天线、太阳帆和光伏表面等方面具有重要应用价值。本文以碳纤维增强尼龙6(CF/PA6)为实验对象,首先,用单层厚度为0.045 mm和0.105 mm的CF/PA6复合材料分别制备1 mm厚的单向层合板,对其进行了弯曲性能测试和弯曲破坏后微观形貌的对比分析,然后采用非对称铺层设计方法及真空热压一次成型工艺制备了复合材料人形杆,对人形杆的法兰展开行为、收拢弯曲承载行为进行了实验测试。结果表明:单层厚度减薄57%,层合板的弯曲强度和弯曲模量分别提高了24.8%、17%,有效抑制了复合材料的层间裂纹扩展;铺层结构直接影响人形杆可展开、收拢变形行为,增加0°铺层所占比例,人形杆的比刚度和比强度均有所提高。实验结果为热塑性复合材料可展开结构的设计与性能评价提供了基础。
马心旗宗文波张竹青蒋林桑琳吴海宏
关键词:超薄热塑性复合材料碳纤维可展开
基于游离磨粒的化学机械抛光材料去除非均匀性形成机制(英文)被引量:3
2012年
本文主要研究硬脆晶体材料化学机械抛光中基片内材料去除非均匀性的形成机理.首先分析了化学机械抛光时抛光机的运动参数对硅片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性、接触压力分布非均匀性及磨粒运动轨迹密度分布非均匀性的影响规律.然后通过基片内材料去除非均匀性实验,得出了抛光机运动参数对基片表面材料去除非均匀性的影响.通过比较理论分析与实验结果,基片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性及接触压力分布非均匀性随转速的变化趋势与基片表面材料去除非均匀性的实验结果相差较大,只有磨粒在基片表面上的运动轨迹分布非均匀性与基片表面材料去除非均匀性的实验结果趋势相同.研究结果表明,基片表面材料去除非均匀性是由磨粒在基片表面上的运动轨迹分布非均匀性造成的,充分说明了基片表面材料去除的机械作用主要是磨粒的机械作用.
苏建修张学铭刘幸龙刘志响张竹青
关键词:化学机械抛光材料去除机理材料去除率非均匀性磨粒
超高分子量聚乙烯纤维透明防弹复合材料板及其制备方法
本发明公开了超高分子量聚乙烯纤维透明防弹复合材料板及其制备方法。该制备方法包括:选择与超高分子量聚乙烯纤维的折射率匹配的水性聚氨酯树脂;在设定张力条件下对超高分子量聚乙烯纤维进行分散和宽展,将分散、宽展后的超高分子量聚乙...
吴海宏张竹青张峻滔宗文波梁霞
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是,本发明的技术方案要点是,一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘,它包括固结磨料层、联接层、金属基体层,固结磨料层按照重量百分比含量包括:...
苏建修庞子瑞马利杰付素芳姚建国郑秋白刘志响张竹青
文献传递
SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液设计
本文的研究对象是6H-SiC,目前6H-SiC主要用于LED照明,在LED领域的强大市场牵引力将促使取代Si成为第三代半导体衬底材料。针对SiC单晶体本身具有较高的硬度、较强的化学稳定性等难加工性,化学机械抛光技术(CM...
张竹青
关键词:化学机械抛光抛光液材料去除率表面粗糙度
文献传递
共1页<1>
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