张逸韵
- 作品数：51 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 红外探测器及其制备方法
- 本公开提供一种红外探测器及其制备方法，该红外探测器包括：衬底，设置于衬底上的势垒绝缘缓冲层，以及至少一个叠层单元，该至少一个叠层单元均匀设置于势垒绝缘缓冲层上，每个叠层单元均包括：超晶格吸收区，设置于势垒绝缘缓冲层上的中...
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- 氮化物发光器件制备方法
- 本公开提供一种氮化物发光器件制备方法，包括：在衬底上制备底层的底层DBR层；在所述底层DBR层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层；在所述二维材料缓冲层上依次生长低温GaN成核层和GaN buffer层；在...
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- 氧化镓衬底及其制备方法
- 提供了一种氧化镓衬底及其制备方法，所述方法包括以下步骤：按照激光烧蚀版图，采用激光烧蚀法在所述初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽；对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽；以及在所述第二沟槽内填充导热层，以形成具有导...
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- 提高紫外发光二极管出光效率的方法
- 一种提高紫外发光二极管出光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：一紫外发光二极管外延片；步骤2：在紫外发光二极管外延片的蓝宝石衬底的背面生长一氮化物层；步骤3：将氮化物层的表面粗化，完成制备，该方法简单方便易行，与传统LED...
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- 文献传递
- 氮化镓基LED芯片立式封装的方法
- 一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法，具体步骤包括：超声波清洗功率型LED支架，烘干；在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶，光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同；用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置，然后...
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- 文献传递
- 应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法
- 一种应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法，包括：步骤1：将制备好的LED器件固定在水平移动平台上，并位于CCD成像设备的成像中心；步骤2：在飞秒激光器的激光光路上放置多个透镜，将激光分成多个焦点；步骤3：将多个焦...
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- 文献传递
- 非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器
- 2024年
- 高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XBnn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有显著抑制作用。本文在GaSb衬底上采用分子束外延技术生长了nBn和pBn两种结构的InAsSb/AlAsSb/AlSb中波红外光探测器材料,并通过微纳加工工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG结构探测器。XRD和AFM的测试结果表明,两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。器件暗电流测试结果表明,相较于nBn器件,在室温和反向偏压400 mV的工作条件下,直径90μm的pBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm^(2),说明该器件在室温非制冷环境下表现出较低的噪声水平。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明,pBn器件的表面电阻率低于对照的nBn器件的表面电阻率。另外,根据探测器的电容测试结果,可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区,nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明,直径90μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz,对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz,响应速度提升了29.7%,初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光电探测器。
- 贾春阳邓功荣赵鹏朱之贞赵俊张逸韵
- 关键词：非制冷中波红外
- 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管
- 一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管，包括：一衬底；一载流子注入层，其制作在衬底上；一发光层，其制作在载流子注入层上面的一侧，宽度小于载流子注入层的宽度，使载流子注入层形成一台面；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上...
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- 纳米柱发光二极管的制作方法
- 一种纳米柱发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延u-GaN层、n型GaN层、二氧化硅掩蔽层和聚苯乙烯球；采用加热和ICP的方法，刻蚀聚苯乙烯球；采用加温处理，使聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层的表面有稍微塌陷，把点...
- 吴奎魏同波闫建昌刘喆王军喜张逸韵李璟李晋闽
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- 晶圆级LED管芯整体集成封装装置
- 本发明提供一种晶圆级LED管芯整体集成封装装置，包括：一模具，包括下模具和上模具，该下模具的表面开有模穴，该上模具内为一真空腔室，其下面开有多个吸气孔；一真空泵，其通过管路与上模具内的真空腔室连接。本发明具有批量化、产业...
- 谢海忠汪炼成张逸韵杨华李璟伊晓燕王国宏李晋闽
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