徐东
- 作品数：41 被引量：111H指数：6
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电子电信电气工程更多>>
- 保温时间对氧化锌压敏瓷组织和电性能的影响
- 2010年
- 采用不同的保温时间制备ZnO压敏电阻,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了保温时间对氧化锌压敏电阻电性能和显微组织影响机理。保温时间的变化对压敏瓷的相成分基本没有影响。适当的延长保温时间,压敏瓷的晶粒发育越好,晶粒尺寸越大越均匀;过长的保温时间会导致压敏瓷的晶粒粗大。保温时间的延长,压敏瓷的漏电流变化不大,致密度和电位梯度逐渐减小。研究结果表明:当保温时间为2 h时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332V/mm,非线性系数为30,漏电流为0.1μA。
- 史小锋樊曰娥徐东程晓农施利毅
- 关键词：压敏电阻氧化锌保温时间电性能显微组织
- 杂原子掺杂的碳材料在电容脱盐方面的应用研究进展被引量：3
- 2017年
- 主要介绍了不同杂原子掺杂的碳材料,包括杂原子掺杂的石墨烯,基于生物质材料的杂原子掺杂的碳材料,基于金属有机框架的杂原子掺杂的碳材料和其它材料在电容脱盐方面的应用。指出选择合适的脱盐电极仍是一个重要的研究内容,掺杂杂原子可以有效提高多孔碳材料的电导率和润湿性;同时如何提高脱盐电极的电荷效率和脱盐量在未来的研究工作中需要重点关注。
- 童颖赵飞文焦雷赵国平钟素娟马佳张青科徐东
- 关键词：石墨烯生物质
- 两步法制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷被引量：1
- 2010年
- 采用两步烧结制备了Y2O3掺杂ZnO压敏瓷,其电位梯度为863～1330V/mm,非线性系数为27.0～49.7,漏电流为0.55～1.13μA。研究结果表明,当Y2O3的掺杂量为1.00%(摩尔分数)时,压敏瓷电性能最好,电位梯度为1330V/mm,非线性系数为49.7,漏电流为0.76μA。
- 徐东巫欣欣程晓农张剑平施利毅
- 关键词：稀土显微组织电性能
- 基于C-V模型的改进快速水平集图像分割法被引量：5
- 2012年
- 针对水平集方法计算复杂度高,无法满足实时系统要求的缺陷,提出一种改进的快速水平集算法。该算法对快速水平集算法进行简化,采用单链表表示轮廓曲线。利用C-V模型的二值拟合项来设计曲线演化的速度函数,保留了C-V模型的全局优化特性。还给出了一个基于单链表中轮廓点个数变化的水平集演化终止准则。该算法不仅明显提高了分割速度,且对噪声图像也能实现高效的分割。
- 徐东彭真明
- 关键词：C-V模型单链表图像分割
- ZrO2掺杂ZnO压敏瓷的性能及晶粒生长研究
- 本文以球磨法制备ZrO2掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了ZrO2掺杂对ZnO压敏瓷电性能的影响并且研究了晶粒的生长。研究结果表明,随着保温时间的延长,致密度和非线性系数均呈现出先增加后减小的趋...
- 徐东骆云崔凤单何恺易萌焦雷孙秀娟
- 关键词：氧化锆电性能晶粒生长显微组织
- 文献传递
- ZnO膜结构材料的压敏性能研究进展被引量：1
- 2012年
- 从薄膜、厚膜、复合膜三个方面综述了近年来国内外关于ZnO膜结构材料的压敏性能方面的研究进展。掺杂元素、成膜工艺、退火温度、膜结构等因素都影响着ZnO膜结构材料的压敏性能,其中掺杂可以大大降低该膜的电阻率,提高非线性系数。低电位、高非线性系数的ZnO压敏薄膜及高电位梯度、高非线性系数的ZnO压敏厚膜的制备是今后研究的重点。
- 孙洪波邱玉平叶效杨娟徐东
- 关键词：氧化锌压敏膜结构掺杂
- ZnO-Pr_6O_(11)基压敏电阻的研究进展被引量：1
- 2013年
- 从组织结构、压敏机理、制备技术和稀土掺杂作用这4个部分详细综述了各种稀土氧化物在ZnO-Pr6O11基压敏电阻中的掺杂影响并解释了它们的作用机理,阐明稀土氧化物掺杂仍然是改善ZnO-Pr6O11基压敏电阻的电学性能的主要研究方向。制备工艺的完善对改善ZnOPr6O11压敏电阻材料性能也有不可忽视的作用。
- 何恺戚佳鹏罗雪丹谌勇徐东
- 关键词：压敏电阻氧化锌氧化镨
- Y_2O_3掺杂ZnO-Bi_2O_3压敏瓷的显微组织和电性能被引量：3
- 2009年
- 为了提高氧化锌压敏瓷的综合电性能,采用高能球磨制备Y2O3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了Y2O3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。结果表明,Y2O3掺杂摩尔分数在0～1.00%时,压敏瓷的电位梯度为332～597V/mm,非线性系数为23.6～40.1,漏电流为0.06～0.90μA。当Y2O3掺杂摩尔分数为0.60%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,压敏瓷电位梯度为482V/mm,非线性系数为35,漏电流为0.17μA。掺杂Y2O3使压敏瓷晶粒细化是由于Y2O3或者单独以Y2O3氧化物形式存在,钉扎在晶界,阻碍晶粒长大;或者与Bi2O3固溶形成含Y的富铋相,使Bi2O3促进晶粒生长的作用受到抑制。
- 徐东施利毅巫欣欣钟庆东
- 关键词：压敏电阻氧化锌氧化钇电性能显微组织
- 溶胶-凝胶法制备Y2O3掺杂ZnO压敏薄膜及其电性能
- 研究溶胶-凝胶法制备不同浓度Y2O3掺杂对ZnO-Bi2O3压敏薄膜微观结构和电性能的影响.研究结果表明：Y2O3掺杂ZnO薄膜在750℃空气气氛下退火1h,ZnO薄膜的特征峰与ZnO的六方纤锌矿结构相匹配；ZnO晶粒直...
- 徐东姜斌焦雷崔凤单徐红星程晓农杨永涛于仁红
- 关键词：溶胶-凝胶法电性能显微组织
- 高能球磨掺杂氧化物粉体和压敏陶瓷粉体对氧化锌压敏陶瓷性能的影响(英文)被引量：5
- 2012年
- 采用高能球磨掺杂氧化物粉体和压敏陶瓷粉体2种不同制备技术制备ZnO-Bi2O3压敏陶瓷,通过扫描电镜和X-射线衍射对其显微组织和相成分进行分析,探讨不同高能球磨制备技术对氧化锌压敏陶瓷电性能和显微组织的影响。结果表明:压敏陶瓷粉体高能球磨是制备高性能氧化锌压敏陶瓷的一种优异的技术,在1000°C下烧结3h,压敏陶瓷的电位梯度为617V/mm,非线性系数为57;压敏陶瓷的致密度高达95%,显微组织均匀、致密;高能球磨压敏陶瓷粉体可细化晶粒,增强烧结驱动力,加速烧结过程,降低烧结温度。
- 徐东唐冬梅焦雷袁宏明赵国平程晓农
- 关键词：压敏电阻氧化锌高能球磨
