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ZrO2掺杂ZnO压敏瓷的性能及晶粒生长研究: 本文以球磨法制备ZrO2掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了ZrO2掺杂对ZnO压敏瓷电性能的影响并且研究了晶粒的生长。研究结果表明,随着保温时间的延长,致密度和非线性系数均呈现出先增加后减小的趋...; 徐东骆云崔凤单何恺易萌焦雷孙秀娟; 关键词：氧化锆电性能晶粒生长显微组织; 文献传递

ZnO-Pr_6O_(11)基压敏电阻的研究进展被引量：2: 2013年; 从组织结构、压敏机理、制备技术和稀土掺杂作用这4个部分详细综述了各种稀土氧化物在ZnO-Pr6O11基压敏电阻中的掺杂影响并解释了它们的作用机理,阐明稀土氧化物掺杂仍然是改善ZnO-Pr6O11基压敏电阻的电学性能的主要研究方向。制备工艺的完善对改善ZnOPr6O11压敏电阻材料性能也有不可忽视的作用。; 何恺戚佳鹏罗雪丹谌勇徐东; 关键词：压敏电阻氧化锌氧化镨

ZrO_2掺杂ZnO压敏瓷的性能及晶粒生长研究被引量：1: 2015年; 以球磨法制备Zr O2掺杂Zn O压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了Zr O2掺杂对Zn O压敏瓷电性能的影响并且研究了晶粒的生长。研究结果表明,随着保温时间的延长,致密度和非线性系数均呈现先增加后减小的趋势;而对Zn O压敏瓷的漏电流和电位梯度的影响则呈现先减小后增加的波浪型变化。Zr O2掺杂Zn O压敏瓷的晶粒尺寸要比基础配方Zn O压敏瓷的晶粒尺寸要小,可能是因为Zr原子半径与Zn原子半径接近,Zr O2固溶在氧化锌晶粒中,抑制了氧化锌晶粒尺寸的增长。由计算可得Zr O2掺杂氧化锌压敏瓷的晶粒生长动力指数(n=5.0)比基础配方氧化锌压敏瓷的晶粒生长动力指数(n=3.9)大。球磨基础配方的Zn O-Bi2O3系压敏瓷的晶粒生长激活能(Q)较大,Q=(231±27)k J/mol。这可能是Zr O2协同尖晶石钉扎在Zn O压敏瓷的晶粒边界,通过颗粒阻滞机理使Zn O压敏瓷的晶粒生长速度降低,从而使Zn O压敏瓷的晶粒生长激活能增大。; 何恺吴婕婷于仁红商铫徐传孟牟姝妤徐东; 关键词：压敏电阻电性能晶粒生长显微组织

Ce掺杂ZnO压敏薄膜的微观结构与电学性能研究: 2015年; 通过溶胶-凝胶法制备了一种稀土Ce掺杂的ZnO-Bi2O3压敏薄膜,对薄膜进行了XRD、AFM、介电与压敏性能的表征。结果表明,Ce掺杂不会影响ZnO-Bi2O3压敏薄膜的晶体结构,但是会减小ZnO-Bi2O3压敏薄膜的晶粒尺寸。Ce掺杂会降低ZnO-Bi2O3压敏薄膜的漏电流,减小材料的介电损耗,提升ZnO-Bi2O3压敏薄膜的非线性性能。当Ce掺杂量达到0.3%(摩尔分数)时,ZnO-Bi2O3压敏薄膜的压敏电压达到了175V/mm,漏电流降低至502μA。; 何恺吴文浩陈步华吴婕婷徐传孟徐东; 关键词：ZNO 显微组织压敏电阻电学性能

NiO介电材料的研究进展: 本文介绍了近几年来的一种新型的巨介电材料-NiO。介绍了NiO的空间结构;列出了NiO的制备方法,并详细的介绍了较为典型的溶胶-凝胶法。阐述了用于解释NiO巨介电特性起源的阻挡层电容模型与Maxwell-Wagner理论...; 徐东何恺陈永芳张娟; 关键词：NIO 掺杂; 文献传递

NiO介电材料的研究进展: 介电陶瓷材料是一种重要的功能材料.介电陶瓷材料已经存在于生活中的各个领域。本文介绍了近几年来的一种新型的巨介电材料NiO.介绍了NiO的空间结构;列出了NiO的制备方法,并详细的介绍了较为典型的溶胶-凝胶法.阐述了用于解...; 徐东何恺陈永芳张娟; 关键词：氧化镍掺杂改性溶胶-凝胶法介电常数; 文献传递

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何恺